Справочник транзисторов. HMBT2222A

 

Биполярный транзистор HMBT2222A Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: HMBT2222A
   Маркировка: 1P_1B
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 75 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT-23
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

HMBT2222A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:51K  hsmc
 hmbt2222a.pdf pdf_icon

HMBT2222A

Spec. No. : HE6822 HI-SINCERITY Issued Date : 1993.06.30 Revised Date :2010.08.06 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/5 HMBT2222A NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The HMBT2222A is designed for general purpose amplifier and high-speed switching, medium-power switching applications. SOT-23 Features High frequency current gain High Speed Switching Abs

 ..2. Size:662K  cn haohai electr
 hmbt2222a.pdf pdf_icon

HMBT2222A

HMBT2222ANPN-TRANSISTORNPN, 600mA, 40V NPN NPN Switching Transistor SMDHMBT2222AHMBT2222ALT1NPN, BECExcellent hFE linearityGeneral Purpose TransistorsLow noiseComplementary to HMBT2907A3DK2222AMPS2222ATransistor Polarity: NPNMMBT2222A

 9.1. Size:38K  hsmc
 hmbt2907a.pdf pdf_icon

HMBT2222A

Spec. No. : HE6821HI-SINCERITYIssued Date : 1993.06.23Revised Date : 2004.08.30MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HMBT2907APNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HMBT2907A is designed for general purpose amplifier and high -speedswitching, medium power switching applications.SOT-23Features Low Collector Saturation Voltage High Speed Switching For C

 9.2. Size:38K  hsmc
 hmbt2369.pdf pdf_icon

HMBT2222A

Spec. No. : HE6834HI-SINCERITYIssued Date : 1998.02.01Revised Date : 2004.09.07MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HMBT2369NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HMBT2369 is designed for general purpose switching and amplifierapplications.SOT-23Features Low Collector Saturation Voltage High speed switching TransistorAbsolute Maximum Ratings Maximu

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2SD1047 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

History: E7133 | PBSS305ND | 92PE77C | 2SD1741 | BC817-40 | D45VH4 | DTC143TUB

 

 
Back to Top

 


 
.