Справочник транзисторов. HMBT2222A

 

Биполярный транзистор HMBT2222A - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: HMBT2222A
   Маркировка: 1P_1B
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 75 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT-23

 Аналоги (замена) для HMBT2222A

 

 

HMBT2222A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:51K  hsmc
hmbt2222a.pdf

HMBT2222A
HMBT2222A

Spec. No. : HE6822 HI-SINCERITY Issued Date : 1993.06.30 Revised Date :2010.08.06 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/5 HMBT2222A NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The HMBT2222A is designed for general purpose amplifier and high-speed switching, medium-power switching applications. SOT-23 Features High frequency current gain High Speed Switching Abs

 ..2. Size:662K  cn haohai electr
hmbt2222a.pdf

HMBT2222A
HMBT2222A

HMBT2222ANPN-TRANSISTORNPN, 600mA, 40V NPN NPN Switching Transistor SMDHMBT2222AHMBT2222ALT1NPN, BECExcellent hFE linearityGeneral Purpose TransistorsLow noiseComplementary to HMBT2907A3DK2222AMPS2222ATransistor Polarity: NPNMMBT2222A

 9.1. Size:38K  hsmc
hmbt2907a.pdf

HMBT2222A
HMBT2222A

Spec. No. : HE6821HI-SINCERITYIssued Date : 1993.06.23Revised Date : 2004.08.30MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HMBT2907APNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HMBT2907A is designed for general purpose amplifier and high -speedswitching, medium power switching applications.SOT-23Features Low Collector Saturation Voltage High Speed Switching For C

 9.2. Size:38K  hsmc
hmbt2369.pdf

HMBT2222A
HMBT2222A

Spec. No. : HE6834HI-SINCERITYIssued Date : 1998.02.01Revised Date : 2004.09.07MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HMBT2369NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HMBT2369 is designed for general purpose switching and amplifierapplications.SOT-23Features Low Collector Saturation Voltage High speed switching TransistorAbsolute Maximum Ratings Maximu

Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N3055 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .

 

 
Back to Top