Биполярный транзистор HMJE3055T - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: HMJE3055T
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
Корпус транзистора: TO-220AB
Аналоги (замена) для HMJE3055T
HMJE3055T Datasheet (PDF)
..1. Size:41K hsmc
hmje3055t.pdf
hmje3055t.pdf
Spec. No. : HE6737HI-SINCERITYIssued Date : 1993.09.24Revised Date : 2004.11.19MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HMJE3055TNPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HMJE3055T is designed for general purpose of amplifier and switchingapplications.TO-220Absolute Maximum Ratings (TA=25C) Maximum TemperatureStorage Temperature ..................................
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
