HMJE3055T Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HMJE3055T 📄📄
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 75 W
Tensión colector-base (Vcb): 70 V
Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 2 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 20
Encapsulados: TO-220AB
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HMJE3055T datasheet
hmje3055t.pdf
Spec. No. HE6737 HI-SINCERITY Issued Date 1993.09.24 Revised Date 2004.11.19 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 HMJE3055T NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The HMJE3055T is designed for general purpose of amplifier and switching applications. TO-220 Absolute Maximum Ratings (TA=25 C) Maximum Temperature Storage Temperature ..................................
Otros transistores... HMJE13003, HMJE13003D, HMJE13003E, HMJE13005, HMJE13007, HMJE13007A, HMJE13009A, HMJE2955T, 2N3906, HMPSA06, HMPSA42, HMPSA44, HMPSA92, HMPSA92M, HMPSA94, HPH2369, HPN2222A
Parámetros del transistor bipolar y su interrelación.
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BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
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