HSB1109 - описание и поиск аналогов

 

HSB1109. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HSB1109

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO-126ML

 Аналоги (замена) для HSB1109

- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HSB1109 даташит

 ..1. Size:42K  hsmc
 hsb1109.pdf pdf_icon

HSB1109

Spec. No. HE6607 HI-SINCERITY Issued Date 1993.03.15 Revised Date 2005.08.18 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 HSB1109 PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Features Low frequency high voltage amplifier Complementary pair with HSD1609 TO-126ML Absolute Maximum Ratings (TA=25 C) Maximum Temperatures Storage Temperature ..............................................

 0.1. Size:51K  hsmc
 hsb1109s.pdf pdf_icon

HSB1109

Spec. No. HE6514 HI-SINCERITY Issued Date 1993.03.15 Revised Date 2005.02.14 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/5 HSB1109S PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The HSB1109S is designed for low frequency and high voltage amplifier applications complementary pair with HSD1609S. TO-92 Absolute Maximum Ratings Maximum Temperatures Storage Temperature ................

Другие транзисторы: HMPSA92 , HMPSA92M , HMPSA94 , HPH2369 , HPN2222A , HPN2907A , HSA1015 , HSA733 , 2SC2073 , HSB1109S , HSB649A , HSB649T , HSB772 , HSB772S , HSB857 , HSB857D , HSB857J .

History: HMJE13003E | HMJE13007

 

 

 

 

↑ Back to Top
.