HSB1109 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HSB1109  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1.25 W

Tensión colector-base (Vcb): 160 V

Tensión colector-emisor (Vce): 160 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 140 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 5.5 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 60

Encapsulados: TO-126ML

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HSB1109 datasheet

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HSB1109

Spec. No. HE6607 HI-SINCERITY Issued Date 1993.03.15 Revised Date 2005.08.18 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 HSB1109 PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Features Low frequency high voltage amplifier Complementary pair with HSD1609 TO-126ML Absolute Maximum Ratings (TA=25 C) Maximum Temperatures Storage Temperature ..............................................

 0.1. Size:51K  hsmc
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HSB1109

Spec. No. HE6514 HI-SINCERITY Issued Date 1993.03.15 Revised Date 2005.02.14 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/5 HSB1109S PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The HSB1109S is designed for low frequency and high voltage amplifier applications complementary pair with HSD1609S. TO-92 Absolute Maximum Ratings Maximum Temperatures Storage Temperature ................

Otros transistores... HMPSA92, HMPSA92M, HMPSA94, HPH2369, HPN2222A, HPN2907A, HSA1015, HSA733, 2SC2073, HSB1109S, HSB649A, HSB649T, HSB772, HSB772S, HSB857, HSB857D, HSB857J