HSB1109 Todos los transistores

 

HSB1109 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HSB1109
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 1.25 W
   Tensión colector-base (Vcb): 160 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 160 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 140 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 5.5 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
   Paquete / Cubierta: TO-126ML
 

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HSB1109 PDF detailed specifications

 ..1. Size:42K  hsmc
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HSB1109

Spec. No. HE6607 HI-SINCERITY Issued Date 1993.03.15 Revised Date 2005.08.18 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 HSB1109 PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Features Low frequency high voltage amplifier Complementary pair with HSD1609 TO-126ML Absolute Maximum Ratings (TA=25 C) Maximum Temperatures Storage Temperature ................................................. See More ⇒

 0.1. Size:51K  hsmc
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HSB1109

Spec. No. HE6514 HI-SINCERITY Issued Date 1993.03.15 Revised Date 2005.02.14 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/5 HSB1109S PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The HSB1109S is designed for low frequency and high voltage amplifier applications complementary pair with HSD1609S. TO-92 Absolute Maximum Ratings Maximum Temperatures Storage Temperature ................... See More ⇒

Otros transistores... HMPSA92 , HMPSA92M , HMPSA94 , HPH2369 , HPN2222A , HPN2907A , HSA1015 , HSA733 , 2SC2073 , HSB1109S , HSB649A , HSB649T , HSB772 , HSB772S , HSB857 , HSB857D , HSB857J .

History: 2SC2127

 

 
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