Биполярный транзистор HSB857D - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: HSB857D
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 170
Корпус транзистора: TO-126ML
HSB857D Datasheet (PDF)
hsb857d.pdf
Spec. No. : HE6705HI-SINCERITYIssued Date : 1995.01.27Revised Date : 2005.08.18MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HSB857DPNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionLow frequency power amplifier.TO-126MLAbsolute Maximum Ratings (TA=25C) Maximum TemperaturesStorage Temperature ..........................................................................................
hsb857j.pdf
Spec. No. : HJ200101HI-SINCERITYIssued Date : 2001.09.01Revised Date : 2005.07.14MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HSB857JPNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionLow frequency power amplifier.TO-252Absolute Maximum Ratings (TA=25C) Maximum TemperaturesStorage Temperature ..........................................................................................
hsb857.pdf
Spec. No. : HE6705HI-SINCERITYIssued Date : 1995.01.27Revised Date : 2005.10.07MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HSB857 / 2SB857PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionLow frequency power amplifier.TO-220Absolute Maximum Ratings (TA=25C) Maximum TemperaturesStorage Temperature ....................................................................................
Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , TIP31C , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
