Биполярный транзистор HSB857J - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: HSB857J
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 170
Корпус транзистора: TO-252
HSB857J Datasheet (PDF)
hsb857j.pdf
Spec. No. : HJ200101HI-SINCERITYIssued Date : 2001.09.01Revised Date : 2005.07.14MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HSB857JPNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionLow frequency power amplifier.TO-252Absolute Maximum Ratings (TA=25C) Maximum TemperaturesStorage Temperature ..........................................................................................
hsb857d.pdf
Spec. No. : HE6705HI-SINCERITYIssued Date : 1995.01.27Revised Date : 2005.08.18MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HSB857DPNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionLow frequency power amplifier.TO-126MLAbsolute Maximum Ratings (TA=25C) Maximum TemperaturesStorage Temperature ..........................................................................................
hsb857.pdf
Spec. No. : HE6705HI-SINCERITYIssued Date : 1995.01.27Revised Date : 2005.10.07MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HSB857 / 2SB857PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionLow frequency power amplifier.TO-220Absolute Maximum Ratings (TA=25C) Maximum TemperaturesStorage Temperature ....................................................................................
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
