Справочник транзисторов. HSB857J

 

Биполярный транзистор HSB857J Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: HSB857J
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 170
   Корпус транзистора: TO-252
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

HSB857J Datasheet (PDF)

 ..1. Size:43K  hsmc
 hsb857j.pdf pdf_icon

HSB857J

Spec. No. : HJ200101HI-SINCERITYIssued Date : 2001.09.01Revised Date : 2005.07.14MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HSB857JPNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionLow frequency power amplifier.TO-252Absolute Maximum Ratings (TA=25C) Maximum TemperaturesStorage Temperature ..........................................................................................

 8.1. Size:42K  hsmc
 hsb857d.pdf pdf_icon

HSB857J

Spec. No. : HE6705HI-SINCERITYIssued Date : 1995.01.27Revised Date : 2005.08.18MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HSB857DPNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionLow frequency power amplifier.TO-126MLAbsolute Maximum Ratings (TA=25C) Maximum TemperaturesStorage Temperature ..........................................................................................

 8.2. Size:41K  hsmc
 hsb857.pdf pdf_icon

HSB857J

Spec. No. : HE6705HI-SINCERITYIssued Date : 1995.01.27Revised Date : 2005.10.07MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HSB857 / 2SB857PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionLow frequency power amplifier.TO-220Absolute Maximum Ratings (TA=25C) Maximum TemperaturesStorage Temperature ....................................................................................

 8.3. Size:44K  cn haohai electr
 hsb857 2sb857.pdf pdf_icon

HSB857J

Spec. No. : HE6705HI-SINCERITYIssued Date : 1995.01.27Revised Date : 2005.10.07MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HSB857 / 2SB857PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionLow frequency power amplifier.TO-220Absolute Maximum Ratings (TA=25C) Maximum TemperaturesStorage Temperature ....................................................................................

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: 2SC1400U | 2SC706 | ECG2417 | KMBTA05 | DTA602 | ECG311

 

 
Back to Top

 


 
.