HSB857J - описание и поиск аналогов

 

HSB857J. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HSB857J

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 170

Корпус транзистора: TO-252

 Аналоги (замена) для HSB857J

- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HSB857J даташит

 ..1. Size:43K  hsmc
 hsb857j.pdf pdf_icon

HSB857J

Spec. No. HJ200101 HI-SINCERITY Issued Date 2001.09.01 Revised Date 2005.07.14 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 HSB857J PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description Low frequency power amplifier. TO-252 Absolute Maximum Ratings (TA=25 C) Maximum Temperatures Storage Temperature ..........................................................................................

 8.1. Size:42K  hsmc
 hsb857d.pdf pdf_icon

HSB857J

Spec. No. HE6705 HI-SINCERITY Issued Date 1995.01.27 Revised Date 2005.08.18 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 HSB857D PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description Low frequency power amplifier. TO-126ML Absolute Maximum Ratings (TA=25 C) Maximum Temperatures Storage Temperature ..........................................................................................

 8.2. Size:41K  hsmc
 hsb857.pdf pdf_icon

HSB857J

Spec. No. HE6705 HI-SINCERITY Issued Date 1995.01.27 Revised Date 2005.10.07 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 HSB857 / 2SB857 PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description Low frequency power amplifier. TO-220 Absolute Maximum Ratings (TA=25 C) Maximum Temperatures Storage Temperature ....................................................................................

 8.3. Size:44K  cn haohai electr
 hsb857 2sb857.pdf pdf_icon

HSB857J

Spec. No. HE6705 HI-SINCERITY Issued Date 1995.01.27 Revised Date 2005.10.07 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 HSB857 / 2SB857 PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description Low frequency power amplifier. TO-220 Absolute Maximum Ratings (TA=25 C) Maximum Temperatures Storage Temperature ....................................................................................

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: HSB1109 , HSB1109S , HSB649A , HSB649T , HSB772 , HSB772S , HSB857 , HSB857D , BD335 , HSC1815 , HSC945 , HSD1609 , HSD1609S , HSD1616A , HSD313 , HSD468 , HSD667A .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.