CD8550D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CD8550D  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.7 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 35 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 160

Корпус транзистора: TO-92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для CD8550D

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CD8550D даташит

 8.1. Size:173K  cdil
 cd8550.pdf pdf_icon

CD8550D

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company PNP SILICON PLANAR TRANSISTOR CD8550 TO-92 CBE ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT Collector -Emitter Voltage VCEO 25 V Collector -Base Voltage VCBO 40 V Emitter Base Voltage VEBO 6.0 V Collector Current IC 2.0 A Collector Power Dissipation PC 1.0 W Operating And Storage Ju

Другие транзисторы: CD2328Y, CD2383, CD2383O, CD2383R, CD2383Y, CD8550, CD8550B, CD8550C, BD139, CD9011, CD9011D, CD9011E, CD9011F, CD9011G, CD9011H, CD9011I, CD9011J