Биполярный транзистор CD9011E - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: CD9011E
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора: TO-92
CD9011E Datasheet (PDF)
cd9011.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON PLANAR TRANSISTOR CD9011TO-92CBEABSOLUTE MAXIMUM RATINGSDESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector -Emitter Voltage VCEO 30 VCollector -Base Voltage VCBO 50 VEmitter Base Voltage VEBO 5.0 VCollector Current IC 100 mAPower Dissipation PD 400 mWOperating And Storage Junction Tj
cd9015.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyPNP SILICON PLANAR TRANSISTOR CD9015TO-92CBEABSOLUTE MAXIMUM RATINGSDESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector -Emitter Voltage VCEO 50 VCollector -Base Voltage VCBO 50 VEmitter Base Voltage VEBO 5.0 VCollector Current IC 100 mACollector Power Dissipation PC 625 mWOperating And Storage J
cd9018.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON PLANAR TRANSISTOR CD 9018TO-92Plastic PackageABSOLUTE MAXIMUM RATINGS ( Ta=25C unless specified otherwise)DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITVCEOCollector Emitter Voltage 15 VVCBOCollector Base Voltage 30 VVEBOEmitter Base Voltage 5VICCollector Current 30 mAPDPower Di
cd9014.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON PLANAR TRANSISTOR CD9014TO-92CBEABSOLUTE MAXIMUM RATINGSDESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector -Emitter Voltage VCEO 50 VCollector -Base Voltage VCBO 50 VEmitter Base Voltage VEBO 5.0 VCollector Current IC 100 mACollector Power Dissipation PC 625 mWOperating And Storage J
cd9012.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyPNP SILICON PLANAR TRANSISTOR CD9012TO-92CBEGeneral Purpose Audio Amplifier Applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSDESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector -Emitter Voltage VCEO 30 VCollector -Base Voltage VCBO 40 VEmitter Base Voltage VEBO 5.0 VCollector Current IC 500 mACollector Power
cd9013.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON PLANAR TRANSISTOR CD9013TO-92Plastic PackageCBEGeneral Purpose Audio Amplifier ApplicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C Unless Otherwise Specified)DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITSVCEOCollector Emitter Voltage 30 VVCBOCollector Base Voltage 40 VVEBOEmitter Base
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050