CDD2395 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CDD2395  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 35 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO-220

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для CDD2395

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CDD2395 даташит

 ..1. Size:134K  cdil
 cdd2395.pdf pdf_icon

CDD2395

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR CDD2395 (9AW) TO-220 MARKING AS BELOW Designed For Relay drive and DC-DC Converter. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C) DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT Collector -Base Voltage VCBO 60 V Collector -Emitter Voltage VCEO 50 V Emitter- Base Voltage VEBO 5.0 V

Другие транзисторы: C45C8, CD13003, CD13003D, CD3968, CDB1370, CDB1370EF, CDD1933, CDD2061, A1015, CDL6718, CFA1012, CFA1012O, CFA1012Y, CFB1342, CFB1370, CFB612, CFB810