Биполярный транзистор CMBT5551 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: CMBT5551
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора: SOT-23
CMBT5551 Datasheet (PDF)
cmbt5551.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanySOT-23 Formed SMD PackageCMBT5551SILICON NPN HIGHVOLTAGE TRANSISTORNPN transistorMarkingCMBT5551 = G1Pin configuration1 = BASE2 = EMITTER3 = COLLECTOR312ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSCollectorbase voltage (open emitter) VCBO max. 180 VCollectoremitter voltage
cmbt5550.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanySOT-23 Formed SMD PackageCMBT5550SILICON NPN HIGHVOLTAGE TRANSISTORNPN transistorMarkingCMBT5550 = 1FPin configuration1 = BASE2 = EMITTER3 = COLLECTOR312ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSCollectorbase voltage (open emitter) VCBO max. 160 VCollectoremitter voltage
cmbt5088 89.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanySOT-23 Formed SMD Package CMBT5088CMBT5089NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORSNPN transistorsPACKAGE OUTLINE DETAILSMarking ALL DIMENSIONS IN mmCMBT5088 = 1QCMBT5089 = 1RPin configuration1 = BASE2 = EMITTER3 = COLLECTOR312ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS5088 5089Colle
cmbt5401.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanySOT-23 Formed SMD PackageCMBT5401SILICON PNP HIGHVOLTAGE TRANSISTORPNP transistorMarkingCMBT5401 = 2LPin configuration1 = BASE2 = EMITTER3 = COLLECTOR312ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSCollectorbase voltage (open emitter) VCBO max. 160 VCollectoremitter volt
cmbt5400.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanySOT-23 Formed SMD PackageCMBT5400HIGH VOLTAGE TRANSISTORPNP transistorMarkingCMBT5400 = K2Pin configuration1 = BASE2 = EMITTER3 = COLLECTOR312ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSCollectorbase voltage (open emitter) VCBO max. 130 VCollectoremitter voltage (open base) V
cmbt5087.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanySOT-23 Formed SMD Package CMBT5087SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORSPNP transistorMarkingCMBT5087= 2QPin configuration1 = BASE2 = EMITTER3 = COLLECTOR312ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSCollector-base voltage (open emitter) VCBO max. 50 VCollector-emitter voltage (open base) VCEO ma
Другие транзисторы... HA9079 , HA9500 , HA9501 , HA9502 , HA9531 , HA9531A , HA9532 , HA9532A , 2222A , HCT2907A , HCT2907M , HDA412 , HDA420 , HDA496 , HEP637 , HEPG0001 , HEPG0002 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050