CMBT5551 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: CMBT5551 📄📄
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30
Корпус транзистора: SOT-23
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для CMBT5551
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
CMBT5551 даташит
cmbt5551.pdf
Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company SOT-23 Formed SMD Package CMBT5551 SILICON N P N HIGH VOLTAGE TRANSISTOR N P N transistor Marking CMBT5551 = G1 Pin configuration 1 = BASE 2 = EMITTER 3 = COLLECTOR 3 1 2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Collector base voltage (open emitter) VCBO max. 180 V Collector emitter voltage
cmbt5550.pdf
Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company SOT-23 Formed SMD Package CMBT5550 SILICON N P N HIGH VOLTAGE TRANSISTOR N P N transistor Marking CMBT5550 = 1F Pin configuration 1 = BASE 2 = EMITTER 3 = COLLECTOR 3 1 2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Collector base voltage (open emitter) VCBO max. 160 V Collector emitter voltage
cmbt5088 89.pdf
Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company SOT-23 Formed SMD Package CMBT5088 CMBT5089 NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS N P N transistors PACKAGE OUTLINE DETAILS Marking ALL DIMENSIONS IN mm CMBT5088 = 1Q CMBT5089 = 1R Pin configuration 1 = BASE 2 = EMITTER 3 = COLLECTOR 3 1 2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS 5088 5089 Colle
cmbt5401.pdf
Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company SOT-23 Formed SMD Package CMBT5401 SILICON P N P HIGH VOLTAGE TRANSISTOR P N P transistor Marking CMBT5401 = 2L Pin configuration 1 = BASE 2 = EMITTER 3 = COLLECTOR 3 1 2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Collector base voltage (open emitter) VCBO max. 160 V Collector emitter volt
Другие транзисторы: CMBT4401, CMBT4403, CMBT5087, CMBT5088, CMBT5089, CMBT5400, CMBT5401, CMBT5550, 2SA1015, CMBT6517, CMBT6520, CMBT8050, CMBT8050C, CMBT8050D, CMBT8050E, CMBT8098, CMBT8099
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n3907 | 12n60 | mp42b transistor | c1675 transistor | c5198 transistor | ru7088r | 2sa733 replacement | 2n3906 transistor equivalent






