CMBT847G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CMBT847G  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 400

Корпус транзистора: SOT-23

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для CMBT847G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CMBT847G даташит

 7.1. Size:131K  cdil
 cmbt847.pdf pdf_icon

CMBT847G

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR CMBT847 SOT23 PIN CONFIGURATION (NPN) 1 = BASE 2 = EMITTER 3 = COLLECTOR 3 MARKING AS BELOW 1 2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT Collector -Base Voltage VCBO 50 V Collector -Emitter Voltage VCEO 50 V Emitter Base Voltage VEBO

 9.1. Size:299K  cdil
 cmbt8098 99.pdf pdf_icon

CMBT847G

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS CMBT8098 CMBT8099 PIN CONFIGURATION (NPN) 1 = BASE 2 = EMITTER SOT-23 3 = COLLECTOR 3 Formed SMD Package 1 2 Marking CMBT8098- KA CMBT8099- KB ABSOLUTE MAXIMUM RATING DESCRIPTION SYMBOL CMBT8098 CMBT8099 UNITS Collector Base Voltage VCBO 60 80 V

 9.2. Size:276K  cdil
 cmbt8550 c d e.pdf pdf_icon

CMBT847G

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR CMBT8550 PIN CONFIGURATION (PNP) SOT-23 1 = BASE 2 = EMITTER 3 = COLLECTOR Formed SMD Package 3 1 2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITS VCBO Collector Base Voltage 30 V VCEO Collector Emitter Voltage 25 V Emitter Base Voltage V

 9.3. Size:132K  cdil
 cmbt8050.pdf pdf_icon

CMBT847G

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR CMBT8050 PIN CONFIGURATION (NPN) 1 = BASE SOT-23 2 = EMITTER 3 = COLLECTOR 3 Formed SMD Package 1 2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITS VCBO Collector Base Voltage 30 V VCEO Collector Emitter Voltage 25 V Emitter Base Voltage

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: CMBT8050, CMBT8050C, CMBT8050D, CMBT8050E, CMBT8098, CMBT8099, CMBT847E, CMBT847F, S9018, CMBT8550, CMBT8550C, CMBT8550D, CMBT857, CMBT857F, CMBT8598, CMBT8599, CMBT9012