2N613. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2N613
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.18 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 90 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.85 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 35
Корпус транзистора: TO5
Аналоги (замена) для 2N613
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
2N613 даташит
2n6129 2n6130 2n6131.pdf
Product Specification www.jmnic.com Silicon NPN Power Transistors 2N6129 2N6130 2N6131 DESCRIPTION With TO-220 package High power dissipation Complement to PNP type 2N6132 2N6133 2N6134 APPLICATIONS Power amplifier and medium speed switching applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base Collector;connected to 2 mounting base 3 Emitter Absolute maximum r
2n6132 2n6133 2n6134.pdf
Product Specification www.jmnic.com Silicon PNP Power Transistors 2N6132 2N6133 2N6134 DESCRIPTION With TO-220 package High power dissipation Complement to NPN type 2N6129 2N6130 2N6131 APPLICATIONS Power amplifier and medium speed switching applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base 3 Base Absolute maximum ra
2n6130.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2N6130 DESCRIPTION DC Current Gain- h = 20-100@ I = 2.5A FE C Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 60V(Min) CEO(SUS) Complement to Type 2N6133 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in power amplifier and switching circuits applicatio
Другие транзисторы: 2N6122, 2N6123, 2N6124, 2N6125, 2N6126, 2N6127, 2N6128, 2N6129, 13009, 2N6130, 2N6131, 2N6132, 2N6133, 2N6134, 2N6135, 2N6136, 2N614
History: 2N6166
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sa1210 | 2sc3792 | mps2907a transistor equivalent | 2sc1626 | b560 transistor | 2sc632a | c3856 | 30100 transistor



