CSB1116L - описание и поиск аналогов

 

CSB1116L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CSB1116L

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 70 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 25 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 300

Корпус транзистора: TO-92

 Аналоги (замена) для CSB1116L

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CSB1116L даташит

 7.1. Size:263K  cdil
 csb1116.pdf pdf_icon

CSB1116L

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR CSB1116 CSB1116A TO-92 BCE B C E Audio Frequency Power Amplifier And Medium Speed Switching Complementary CSD1616/1616A ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 deg C) DESCRIPTION SYMBOL CSB1116 CSB1116A UNIT Collector -Base Voltage VCBO 60 80 V Collector -Emitt

Другие транзисторы... CSAL1013 , CSAL928A , CSB1058 , CSB1058A , CSB1058B , CSB1116 , CSB1116A , CSB1116G , 2N3904 , CSB1116Y , CSB1181 , CSB1182 , CSB1184 , CSB1272 , CSB1370 , CSB1370D , CSB1370E .

History: CSC2001

 

 

 


 
↑ Back to Top
.