CSB1370E - описание и поиск аналогов

 

CSB1370E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CSB1370E

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 80 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO-220

 Аналоги (замена) для CSB1370E

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CSB1370E даташит

 7.1. Size:113K  cdil
 csb1370.pdf pdf_icon

CSB1370E

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company PNP SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR CSB1370 (9AW) TO-220 MARKING AS BELOW Designed For AF Power Amplifier. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C) DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT Collector -Base Voltage VCBO 60 V Collector -Emitter Voltage VCEO 60 V Emitter- Base Voltage VEBO 5.0 V Collector C

Другие транзисторы... CSB1116L , CSB1116Y , CSB1181 , CSB1182 , CSB1184 , CSB1272 , CSB1370 , CSB1370D , TIP41 , CSB1370F , CSB1412 , CSB1426 , CSB1426P , CSB1426Q , CSB1426R , CSB1436 , CSB1436P .

History: CSD363

 

 

 


 
↑ Back to Top
.