Биполярный транзистор CSC2786MF - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: CSC2786MF
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.02 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 400 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.3 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора: TO-92
Аналоги (замена) для CSC2786MF
CSC2786MF Datasheet (PDF)
csc2786 mf lf kf.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR CSC2786TO-92Plastic PackageBCEFor use in FM RF AmplifierABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C)DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITSVCEOCollector Emitter Voltage 20 VVCBOCollector Base Voltage 30 VVEBOEmitter Base Voltage 4 VIBBase Current 20
csc2713.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR CSC2713PIN CONFIGURATION (NPN)SOT-231 = BASE2 = EMITTERFormed SMD Package3 = COLLECTOR312MARKINGCSC2713 =13CSC2713G =13GCSC2713L =13LComplementary CSA1163Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications ABSOLUTE MAXIMUM RATING
csc2712.pdf
IS/ISO 9002 IS / IECQC 700000Lic# QSC/L- 000019.2 IS / IECQC 750100Continental Device India LimitedAn IS/ISO 9002 and IECQ Certified ManufacturerSOT-23 Formed SMD Package CSC2712SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORN-P-N transistorMarkingPACKAGE OUTLINE DETAILSCSC2712Y=1EALL DIMENSIONS IN mmCSC2712GR(G)=1FCSC2712BL(L)=1GPin configuration1 = BASE2 = EMITTER3 = COLLE
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
