CVL639 - описание и поиск аналогов

 

Аналоги CVL639. Основные параметры


   Наименование производителя: CVL639
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 135 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 130 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
   Корпус транзистора: TO-92

 Аналоги (замена) для CVL639

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CVL639 даташит

 ..1. Size:142K  cdil
 cvl639 cvl640.pdf pdf_icon

CVL639

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS CVL639 PNP CVL640 TO-92 Plastic Package E CB Driver Stages of Audio Amplifier Application ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITS VCBO Collector Base Voltage 150 V VCEO Collector Emitter Voltage 135 V VEBO Emitter Base Voltage 5.0

Другие транзисторы... CSD882 , CSD882E , CSD882P , CSD882Q , CSD882R , CSDL468 , CSL13003 , CTU83 , 8550 , CVL640 , MZT3055 , P2N2369 , P2N2369A , P2N2907A , PN100 , PN200 , 2CF2325 .

History: BC848B-AU

 

 

 


 
↑ Back to Top
.