Биполярный транзистор CVL639 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: CVL639
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 135 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 130 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
Корпус транзистора: TO-92
- подбор биполярного транзистора по параметрам
CVL639 Datasheet (PDF)
cvl639 cvl640.pdf

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPNSILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS CVL639PNPCVL640TO-92Plastic PackageECBDriver Stages of Audio Amplifier ApplicationABSOLUTE MAXIMUM RATINGSDESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITSVCBOCollector Base Voltage 150 VVCEOCollector Emitter Voltage 135 VVEBOEmitter Base Voltage 5.0
Другие транзисторы... HA9079 , HA9500 , HA9501 , HA9502 , HA9531 , HA9531A , HA9532 , HA9532A , D667 , HCT2907A , HCT2907M , HDA412 , HDA420 , HDA496 , HEP637 , HEPG0001 , HEPG0002 .
History: D43D6 | PBLS6021D | C9082 | NSVMUN5214DW1T3G | KTC4347 | UMB6N | EMC3DXV5
History: D43D6 | PBLS6021D | C9082 | NSVMUN5214DW1T3G | KTC4347 | UMB6N | EMC3DXV5



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
c2634 transistor | mdp1991 datasheet | 40636 transistor | ao3407 datasheet | c1841 transistor | fb42n20d | irfb3306 equivalent | irfp460 характеристики