CVL639 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CVL639
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.8 W
Tensión colector-base (Vcb): 150 V
Tensión colector-emisor (Vce): 135 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 130 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 7 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
Paquete / Cubierta: TO-92
- Selección de transistores por parámetros
CVL639 Datasheet (PDF)
cvl639 cvl640.pdf

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPNSILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS CVL639PNPCVL640TO-92Plastic PackageECBDriver Stages of Audio Amplifier ApplicationABSOLUTE MAXIMUM RATINGSDESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITSVCBOCollector Base Voltage 150 VVCEOCollector Emitter Voltage 135 VVEBOEmitter Base Voltage 5.0
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: 2SD1911 | DTL3512 | TIP74A | 2SA1875 | KSB795 | PZTA56 | 2N6711
History: 2SD1911 | DTL3512 | TIP74A | 2SA1875 | KSB795 | PZTA56 | 2N6711



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
c2634 transistor | mdp1991 datasheet | 40636 transistor | ao3407 datasheet | c1841 transistor | fb42n20d | irfb3306 equivalent | irfp460 характеристики