PN200 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PN200  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO-92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для PN200

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PN200 даташит

 ..1. Size:248K  cdil
 pn100 pn200 a.pdf pdf_icon

PN200

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS PN200 PN200A TO-92 Plastic Package C B E COMPLEMENTARY PN100, PN100A ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C unless specified otherwise) DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITS VCEO Collector Emitter Voltage 35 V VCBO Collector Base Voltage 60 V VEBO Emitter

 0.1. Size:877K  fairchild semi
 pn200-a mmbt200-a.pdf pdf_icon

PN200

PN200 MMBT200 PN200A MMBT200A C E C TO-92 SOT-23 B B E Mark N2 / N2A PNP General Purpose Amplifier This device is designed for general purpose amplifier applications at collector currents to 300 mA. Sourced from Process 68. Absolute Maximum Ratings* TA = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage 45 V VCBO Collector-Base Voltage 60 V

 0.2. Size:484K  fairchild semi
 pn200a.pdf pdf_icon

PN200

PN200 MMBT200 PN200A MMBT200A C E C TO-92 SOT-23 B B E Mark N2 / N2A PNP General Purpose Amplifier This device is designed for general purpose amplifier applications at collector currents to 300 mA. Sourced from Process 68. Absolute Maximum Ratings* TA = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage 45 V VCBO Collector-Base Voltage 60 V

 0.3. Size:415K  onsemi
 pn200a mmbt200.pdf pdf_icon

PN200

PN200A / MMBT200 PNP General-Purpose Amplifier Description This device is designed for general-purpose amplifier applications at collector currents to 300 mA. Sourced from Process 68. C E TO-92 B SOT-23 EBC Figure 1. PN200A Device Package Figure 2. MMBT200 Device Package Ordering Information Part Number Marking Package Packing Method PN200A PN200A TO-92 3L Bulk MMBT200 N2 SOT-2

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: CTU83, CVL639, CVL640, MZT3055, P2N2369, P2N2369A, P2N2907A, PN100, 2SC2240, 2CF2325, SL100, 2N23867, 2N3055HV, 2N6371HV, A1941, BD237S, BD675BPL