CP757 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CP757

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO-92

 Аналоги (замена) для CP757

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CP757 даташит

 ..1. Size:348K  cdil
 cp756 cp757.pdf pdf_icon

CP757

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company CP756 / CP757 PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS TO-92 Plastic Package C B E Medium Power Transistors are Designed for Applications Requiring High Breakdown Voltage and Low Saturation Voltage Complementary CN656 and CN657 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C ) DESCRIPTION SYMBOL CP756 CP75

Другие транзисторы: CJF106, CJF107, CMBTA42, CMBTA44, CMBTA92, CN1016, CP1016, CP756, C3198, CRD13003BC, CSA1156, CSA1162GR, CSA1162Y, CSA1301F, CSA1301OF, CSA1301RF, CSA1302F