CP757 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CP757  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.9 W

Tensión colector-base (Vcb): 300 V

Tensión colector-emisor (Vce): 300 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 30 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 20 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 40

Encapsulados: TO-92

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CP757 datasheet

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CP757

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company CP756 / CP757 PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS TO-92 Plastic Package C B E Medium Power Transistors are Designed for Applications Requiring High Breakdown Voltage and Low Saturation Voltage Complementary CN656 and CN657 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C ) DESCRIPTION SYMBOL CP756 CP75

Otros transistores... CJF106, CJF107, CMBTA42, CMBTA44, CMBTA92, CN1016, CP1016, CP756, C3198, CRD13003BC, CSA1156, CSA1162GR, CSA1162Y, CSA1301F, CSA1301OF, CSA1301RF, CSA1302F