CSB856C - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: CSB856C
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 35 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: TO-220
CSB856C Datasheet (PDF)
csb856.pdf
Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company PNP PLASTIC POWER TRANSISTOR CSB856 TO-220 Plastic Package LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT VCEO Collector -Emitter Voltage 50 V VCBO Collector -Base Voltage 50 V VEBO Emitter Base Voltage 4.0 V IC Collector Current Continuous 3.0 A PD P
csb857 csb858 csd1133 34.pdf
Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company TO-220 Plastic Package CSB857, CSB858 CSD1133, CSD1134 CSB857, 858 PNP PLASTIC POWER TRANSISTORS CSD1133, 1134 NPN PLASTIC POWER TRANSISTORS Low frequency Power Amplifier PIN CONFIGURATION 4 1. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTER 4. COLLECTOR 1 2 3 C DIM MIN. MAX. B E F A 14.42 16.51 B 9.63
Другие транзисторы... CSB817OF , CSB817YF , CSB834 , CSB834O , CSB834Y , CSB856 , CSB856A , CSB856B , A733 , CSB857 , CSB857B , CSB857C , CSB857D , CSB858 , CSB858B , CSB858C , CSB858D .
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
mj21193g | irf3710 pinout | irf9530 datasheet | mj21194 | oc71 transistor | 2n3440 | bc550c | 2n3904 transistor datasheet



