CSD1506N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CSD1506N

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 90 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 40 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 56

Корпус транзистора: TO-126

 Аналоги (замена) для CSD1506N

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CSD1506N даташит

 7.1. Size:227K  cdil
 csd1506.pdf pdf_icon

CSD1506N

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN PLASTIC POWER TRANSISTOR CSD1506 TO126 Plastic Package E C B Complementary CSB1065 Low Frequency Power Amplifier ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 C unless specified otherwise) DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT VCBO Collector Base Voltage(open emitter) >60 V Collector Emitter Voltage (open b

 9.1. Size:1396K  texas
 csd15571q2.pdf pdf_icon

CSD1506N

CSD15571Q2 www.ti.com SLPS435 AUGUST 2013 20-V N-Channel NexFET Power MOSFETs Check for Samples CSD15571Q2 1 FEATURES PRODUCT SUMMARY 2 Ultralow Qg and Qgd VDS Drain to Source Voltage 20 V Low Thermal Resistance Qg Gate Charge Total (4.5V) 2.5 nC Avalanche Rated Qgd Gate Charge Gate to Drain 0.66 nC VGS = 4.5V 16 m Pb Free Terminal Plating RDS(on) Drai

 9.2. Size:1412K  texas
 csd15380f3.pdf pdf_icon

CSD1506N

Другие транзисторы: CSD1168P, CSD1168Q, CSD13002, CSD1306D, CSD1306E, CSD1306F, CSD1426F, CSD1506, BC327, CSD1506P, CSD1506Q, CSD1506R, CSD1563, CSD1563AN, CSD1563AP, CSD1563AQ, CSD1563N