2SC5125 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SC5125  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 170 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 17 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 25 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 175 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: T-40E

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SC5125

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC5125 даташит

 8.1. Size:120K  1
2sc510 2sc512.pdfpdf_icon

2SC5125

 8.2. Size:210K  toshiba
2sc5129.pdfpdf_icon

2SC5125

 8.3. Size:171K  toshiba
2sc5122.pdfpdf_icon

2SC5125

 8.4. Size:59K  panasonic
2sc5128.pdfpdf_icon

2SC5125

Power Transistors 2SC5128 Silicon NPN triple diffusion planar type For high breakdown voltage high-speed switching Unit mm 4.6 0.2 9.9 0.3 2.9 0.2 Features 3.2 0.1 High-speed switching High collector to base voltage VCBO Wide area of safe operation (ASO) Full-pack package with outstanding insulation, which can be in- 2.6 0.1 stalled to the heat sink with one screw

Другие транзисторы: 2SC5094, 2SC5097, 2SC5098, 2SC5104, 2SC5109, 2SC5110, 2SC5111, 2SC5121, 2N2907, 2SC5127, 2SC5127A, 2SC5136, 2SC5137, 2SC5138, 2SC5139, 2SC5140, 2SC5141