2SC5125 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: 2SC5125 📄📄
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 170 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 17 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 25 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 175 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10
Корпус транзистора: T-40E
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для 2SC5125
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
2SC5125 даташит
2sc5128.pdf
Power Transistors 2SC5128 Silicon NPN triple diffusion planar type For high breakdown voltage high-speed switching Unit mm 4.6 0.2 9.9 0.3 2.9 0.2 Features 3.2 0.1 High-speed switching High collector to base voltage VCBO Wide area of safe operation (ASO) Full-pack package with outstanding insulation, which can be in- 2.6 0.1 stalled to the heat sink with one screw
Другие транзисторы: 2SC5094, 2SC5097, 2SC5098, 2SC5104, 2SC5109, 2SC5110, 2SC5111, 2SC5121, 2N2907, 2SC5127, 2SC5127A, 2SC5136, 2SC5137, 2SC5138, 2SC5139, 2SC5140, 2SC5141
Параметры биполярного транзистора и их взаимосвязь
Список транзисторов
Обновления
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
Popular searches
13005 transistor | ecg123a | irfp360 | bc108 equivalent | irfp4568 | mj15004 | ksc2073 | nte102a










