2SC5136 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SC5136  📄📄 

Маркировка: TI-

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.08 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 13 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3000 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.85 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: SMPAK

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SC5136

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC5136 даташит

 ..1. Size:58K  hitachi
 2sc5136.pdf pdf_icon

2SC5136

2SC5136 Silicon NPN Epitaxial ADE-208-223 1st. Edition Application VHF/UHF wide band amplifier Features High gain bandwidth product fT = 3.8 GHz typ High gain, low noise figure PG = 11 dB typ, NF = 2.5 dB typ at f = 900 MHz Outline SMPAK 3 1 2 1. Emitter 2. Base 3. Collector 2SC5136 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Item Symbol Ratings Unit Collector to base v

 8.1. Size:98K  1
 2sc50x 2sc51x 2sc52x 2sc511 2sc513 2sc530.pdf pdf_icon

2SC5136

 8.2. Size:23K  hitachi
 2sc5132.pdf pdf_icon

2SC5136

 8.3. Size:47K  hitachi
 2sc5138.pdf pdf_icon

2SC5136

2SC5138 Silicon NPN Epitaxial ADE-208-225A (Z) 2nd. Edition Mar. 2001 Application VHF / UHF wide band amplifier Features High gain bandwidth product fT = 6 GHz typ High gain, low noise figure PG = 13 dB typ, NF = 1.8 dB typ at f = 900 MHz Outline SMPAK 3 1 2 1. Emitter 2. Base 3. Collector Note Marking is YL . Attention This device is very sensitive to ele

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SC5104, 2SC5109, 2SC5110, 2SC5111, 2SC5121, 2SC5125, 2SC5127, 2SC5127A, 431, 2SC5137, 2SC5138, 2SC5139, 2SC5140, 2SC5141, 2SC5142, 2SC5144, 2SC5145