Справочник транзисторов. 2SC5717

 

Биполярный транзистор 2SC5717 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SC5717
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 21 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 240 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 4.8
   Корпус транзистора: 2-16E3A
 

 Аналог (замена) для 2SC5717

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC5717 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:411K  toshiba
2sc5717.pdfpdf_icon

2SC5717

2SC5717 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Mesa Type 2SC5717 Horizontal Deflection Output for Super High Resolution Unit: mm Display, Color TV, Digital TV. High Speed Switching Applications. High voltage: VCBO = 1500 V Low saturation voltage: V = 3 V (max) CE (sat) High speed: t (2) = 0.1 s (typ.) fMaximum Ratings (Tc == 25C) ==Charact

 8.1. Size:304K  toshiba
2sc5716.pdfpdf_icon

2SC5717

2SC5716 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Mesa Type 2SC5716 Horizontal Deflection Output for High Resolution Display, Unit: mm Color TV High voltage: V = 1700 V CBO High speed: t (2) = 0.2 s (typ.) f Collector metal (fin) is fully covered with mold resin. Maximum Ratings (Tc == 25C) ==Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base vo

 8.2. Size:166K  toshiba
2sc5714.pdfpdf_icon

2SC5717

2SC5714 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type 2SC5714 Industrial Applications High-Speed Switching Applications Unit: mm DC-DC Converter Applications Strobe Applications High DC current gain: hFE = 400 to 1000 (I = 0.5 A) C Low collector-emitter saturation voltage: V = 0.15 V (max) CE (sat) High-speed switching: t = 90 ns (typ.) fMaximum Ratings (T

 8.3. Size:159K  toshiba
2sc5713.pdfpdf_icon

2SC5717

2SC5713 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type 2SC5713 Industrial Applications High-Speed Switching Applications Unit: mm DC-DC Converter Applications Strobe Applications High DC current gain: hFE = 400 to 1000 (I = 0.5 A) C Low collector-emitter saturation voltage: V = 0.15 V (max) CE (sat) High-speed switching: t = 50 ns (typ.) fMaximum Ratings (T

Другие транзисторы... 2SC5689 , 2SC5690 , 2SC5695 , 2SC5698 , 2SC5699 , 2SC5700 , 2SC5702 , 2SC5716 , BC546 , 2SC5725 , 2SC5730 , 2SC5739 , 2SC5748 , 2SC5757 , 2SC5758 , 2SC5759 , 2SC5764 .

History: 2N7053 | SD2907AF | BF395C | P210V | KSA709 | D39J8 | SGSIF321

 

 
Back to Top

 


 
.