2SC5717 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SC5717  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 21 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 240 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 4.8

Корпус транзистора: 2-16E3A

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SC5717

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC5717 даташит

 ..1. Size:411K  toshiba
 2sc5717.pdf pdf_icon

2SC5717

2SC5717 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Mesa Type 2SC5717 Horizontal Deflection Output for Super High Resolution Unit mm Display, Color TV, Digital TV. High Speed Switching Applications. High voltage VCBO = 1500 V Low saturation voltage V = 3 V (max) CE (sat) High speed t (2) = 0.1 s (typ.) f Maximum Ratings (Tc = = 25 C) = = Charact

 8.1. Size:304K  toshiba
 2sc5716.pdf pdf_icon

2SC5717

2SC5716 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Mesa Type 2SC5716 Horizontal Deflection Output for High Resolution Display, Unit mm Color TV High voltage V = 1700 V CBO High speed t (2) = 0.2 s (typ.) f Collector metal (fin) is fully covered with mold resin. Maximum Ratings (Tc = = 25 C) = = Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base vo

 8.2. Size:166K  toshiba
 2sc5714.pdf pdf_icon

2SC5717

2SC5714 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type 2SC5714 Industrial Applications High-Speed Switching Applications Unit mm DC-DC Converter Applications Strobe Applications High DC current gain hFE = 400 to 1000 (I = 0.5 A) C Low collector-emitter saturation voltage V = 0.15 V (max) CE (sat) High-speed switching t = 90 ns (typ.) f Maximum Ratings (T

 8.3. Size:159K  toshiba
 2sc5713.pdf pdf_icon

2SC5717

2SC5713 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type 2SC5713 Industrial Applications High-Speed Switching Applications Unit mm DC-DC Converter Applications Strobe Applications High DC current gain hFE = 400 to 1000 (I = 0.5 A) C Low collector-emitter saturation voltage V = 0.15 V (max) CE (sat) High-speed switching t = 50 ns (typ.) f Maximum Ratings (T

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SC5689, 2SC5690, 2SC5695, 2SC5698, 2SC5699, 2SC5700, 2SC5702, 2SC5716, 2SA1837, 2SC5725, 2SC5730, 2SC5739, 2SC5748, 2SC5757, 2SC5758, 2SC5759, 2SC5764