2SA1813 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SA1813  📄📄 

Маркировка: KS

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 15 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 210 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 500

Корпус транзистора: MCP

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SA1813

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SA1813 даташит

 ..1. Size:83K  sanyo
2sa1813.pdfpdf_icon

2SA1813

Ordering number EN3972 PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SA1813 Low-Frequency General-Purpose Amplifier Driver, Muting Circuit Applications Features Package Dimensions Very small-sized package permitting 2SA1813- unit mm applied sets to be made smaller and slimmer. 2059A Adoption of FBET process. [2SA1813] High DC current gain (hFE=500 to 1200). Low collector

 ..2. Size:1036K  kexin
2sa1813.pdfpdf_icon

2SA1813

SMD Type Transistors PNP Transistors 2SA1813 Features High DC current gain (hFE=500 to 1200). Low collector-to-emitter saturation voltage High VEBO 1 Base 2 Emitter 3 Colletor Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO -30 Collector - Emitter Voltage VCEO -25 V Emitter - Base Voltage VEBO -15 Collector

 8.1. Size:173K  toshiba
2sa1811.pdfpdf_icon

2SA1813

 8.2. Size:84K  sanyo
2sa1814.pdfpdf_icon

2SA1813

Ordering number EN3973 PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SA1814 Low-Frequency General-Purpose Amplifier Driver, Muting Circuit Applications Features Package Dimensions Very small-sized package permitting 2SA1814- unit mm applied sets to be made smaller and slimmer. 2018B Adoption of FBET process. [2SA1814] High DC current gain (hFE=500 to 1200). Low collector

Другие транзисторы: 2SA1783, 2SA1784, 2SA1785, 2SA1786, 2SA1787, 2SA1798, 2SA1807, 2SA1812, BC558, 2SA1814, 2SA1816, 2SA1823, 2SA1824, 2SA1825, 2SA1826, 2SA1830, 2SA1831