2SA1814 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SA1814  📄📄 

Маркировка: KS

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 15 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 210 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 500

Корпус транзистора: CP

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SA1814

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SA1814 даташит

 ..1. Size:84K  sanyo
2sa1814.pdfpdf_icon

2SA1814

Ordering number EN3973 PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SA1814 Low-Frequency General-Purpose Amplifier Driver, Muting Circuit Applications Features Package Dimensions Very small-sized package permitting 2SA1814- unit mm applied sets to be made smaller and slimmer. 2018B Adoption of FBET process. [2SA1814] High DC current gain (hFE=500 to 1200). Low collector

 8.1. Size:173K  toshiba
2sa1811.pdfpdf_icon

2SA1814

 8.2. Size:70K  sanyo
2sa1815.pdfpdf_icon

2SA1814

Ordering number EN4625 PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SA1815 FM, RF, MIX, IF Amplifier, High-Frequency General-Purpose Amplifier Applications Features Package Dimensions High power gain PG=25dB (f=100MHz). unit mm High cutoff frequency ; fT=750MHz typ. 2018A Low collector-to-emitter saturation voltage. [2SA1815] Complementary pair with the 2SC4432. C C

 8.3. Size:83K  sanyo
2sa1813.pdfpdf_icon

2SA1814

Ordering number EN3972 PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SA1813 Low-Frequency General-Purpose Amplifier Driver, Muting Circuit Applications Features Package Dimensions Very small-sized package permitting 2SA1813- unit mm applied sets to be made smaller and slimmer. 2059A Adoption of FBET process. [2SA1813] High DC current gain (hFE=500 to 1200). Low collector

Другие транзисторы: 2SA1784, 2SA1785, 2SA1786, 2SA1787, 2SA1798, 2SA1807, 2SA1812, 2SA1813, TIP31, 2SA1816, 2SA1823, 2SA1824, 2SA1825, 2SA1826, 2SA1830, 2SA1831, 2SA1836