Биполярный транзистор 2SB1693 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: 2SB1693
Маркировка: 3D
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 15 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 170 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 16 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 160
Корпус транзистора: SC-59
Аналог (замена) для 2SB1693
2SB1693 Datasheet (PDF)
2sb1693.pdf

Transistors2SB1693Silicon PNP epitaxial planar typeFor general amplificationUnit: mm0.40+0.100.050.16+0.100.06 Features3 Large collector current IC Mini type package, allowing downsizing of the equipment and auto-matic insertion through the tape packing and the magazine packing1 2(0.95) (0.95)1.90.12.90+0.200.05 Absolute Maximum Ratin
2sb1691.pdf

2SB1691 Silicon PNP Epitaxial Planer Low Frequency Power Amplifier REJ03G0482-0200 (Previous ADE-208-1387A (Z)) Rev.2.00 Dec.09.2004 Features Small size package: MPAK (SC59A) Large Maximum current: IC = 1 A Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat) = 0.3 V max.(at IC/IB = 0.5 A/0.05 A) High power dissipation: PC = 800 mW (when usi
r07ds0272ej 2sb1691-1.pdf

Preliminary Datasheet 2SB1691 R07DS0272EJ0300(Previous: REJ03G0482-0200)Silicon PNP Epitaxial Planer Rev.3.00Low Frequency Power Amplifier Mar 28, 2011Features Small size package: MPAK (SC59A) Large Maximum current: IC = 1 A Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat) = 0.3 V max.(at IC/IB = 0.5 A/0.05 A) High power dissipation:
2sb1690.pdf

2SB1690 Transistors General purpose amplification(-12V, -2A) 2SB1690 Applications External dimensions (Unit : mm) Low frequency amplifier TSMT3Deiver 1.0MAX2.90.850.4 0.7 Features (3)1) A collector current is large. 2) Collector saturation voltage is low. (1) (2)VCE(sat) : max. -180mV 0.95 0.950.161.9at IC= -1A / IB= -50mA (1) Base (2) EmitterEa
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
History: BF484 | NB121EI | BC369-16 | TP5133 | 2SC3834T1TL | MJE1320 | KSH30
History: BF484 | NB121EI | BC369-16 | TP5133 | 2SC3834T1TL | MJE1320 | KSH30



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
irfp250 | irf640n datasheet | irf540 datasheet | irf530 | 2n3565 | irf530n | pn2222a datasheet | tip41c transistor