Биполярный транзистор 2SD2460 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: 2SD2460
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 15 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.7 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 55 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
Корпус транзистора: SC-72
Аналог (замена) для 2SD2460
2SD2460 Datasheet (PDF)
2sd2460 e.pdf

Transistor2SD2460Silicon NPN epitaxial planer typeFor low-frequency output amplificationUnit: mm4.0 0.2FeaturesHigh foward current transfer ratio hFE.Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat).Allowing supply with the radial taping.markingAbsolute Maximum Ratings (Ta=25C)1 2 3Parameter Symbol Ratings UnitCollector to base voltage VCBO 20 V1.27 1.27C
2sd2460.pdf

Transistor2SD2460Silicon NPN epitaxial planer typeFor low-frequency output amplificationUnit: mm4.0 0.2FeaturesHigh foward current transfer ratio hFE.Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat).Allowing supply with the radial taping.markingAbsolute Maximum Ratings (Ta=25C)1 2 3Parameter Symbol Ratings UnitCollector to base voltage VCBO 20 V1.27 1.27C
2sd2461.pdf

2SD2461 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type 2SD2461 Power Amplifier Applications Unit: mm High DC current gain: hFE (1) = 800 to 3200 (V = 5 V, I = 0.1 A) CE C Low saturation voltage: V = 0.3 V (typ.) (I = 0.5 A, I = 5 mA) CE (sat) C BMaximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 60 VCollector-emitter v
2sd2462.pdf

2SD2462 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type 2SD2462 Power Amplifier Applications Unit: mm High DC current gain: hFE (1) = 800 to 3200 (V = 5 V, I = 0.2 A) CE C Low saturation voltage: V = 0.4 V (typ.) (I = 1 A, I = 10 mA) CE (sat) C B Complementary to 2SB1602 Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage
Другие транзисторы... 2SD2423 , 2SD2425 , 2SD2426 , 2SD2441 , 2SD2444 , 2SD2453 , 2SD2457 , 2SD2459 , A1266 , 2SD2465 , 2SD2465A , 2SD2466 , 2SD2466A , 2SD2467 , 2SD2468 , 2SD2469 , 2SD2469A .
History: MMUN2231LT1 | RN1425 | HMBT8550 | MSD42WT1G | MSB92WT1G | BFXP95 | DTD523YM
History: MMUN2231LT1 | RN1425 | HMBT8550 | MSD42WT1G | MSB92WT1G | BFXP95 | DTD523YM



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
tip35 | 2sk117 | irf9540n datasheet | ss8050 | irfp4668 | mpsa56 | c3205 transistor | tip35c datasheet