Справочник транзисторов. 2SD2460

 

Биполярный транзистор 2SD2460 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SD2460
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 15 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.7 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 55 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
   Корпус транзистора: SC-72
 

 Аналог (замена) для 2SD2460

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD2460 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:37K  panasonic
2sd2460 e.pdfpdf_icon

2SD2460

Transistor2SD2460Silicon NPN epitaxial planer typeFor low-frequency output amplificationUnit: mm4.0 0.2FeaturesHigh foward current transfer ratio hFE.Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat).Allowing supply with the radial taping.markingAbsolute Maximum Ratings (Ta=25C)1 2 3Parameter Symbol Ratings UnitCollector to base voltage VCBO 20 V1.27 1.27C

 ..2. Size:34K  panasonic
2sd2460.pdfpdf_icon

2SD2460

Transistor2SD2460Silicon NPN epitaxial planer typeFor low-frequency output amplificationUnit: mm4.0 0.2FeaturesHigh foward current transfer ratio hFE.Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat).Allowing supply with the radial taping.markingAbsolute Maximum Ratings (Ta=25C)1 2 3Parameter Symbol Ratings UnitCollector to base voltage VCBO 20 V1.27 1.27C

 8.1. Size:183K  toshiba
2sd2461.pdfpdf_icon

2SD2460

2SD2461 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type 2SD2461 Power Amplifier Applications Unit: mm High DC current gain: hFE (1) = 800 to 3200 (V = 5 V, I = 0.1 A) CE C Low saturation voltage: V = 0.3 V (typ.) (I = 0.5 A, I = 5 mA) CE (sat) C BMaximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 60 VCollector-emitter v

 8.2. Size:184K  toshiba
2sd2462.pdfpdf_icon

2SD2460

2SD2462 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type 2SD2462 Power Amplifier Applications Unit: mm High DC current gain: hFE (1) = 800 to 3200 (V = 5 V, I = 0.2 A) CE C Low saturation voltage: V = 0.4 V (typ.) (I = 1 A, I = 10 mA) CE (sat) C B Complementary to 2SB1602 Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage

Другие транзисторы... 2SD2423 , 2SD2425 , 2SD2426 , 2SD2441 , 2SD2444 , 2SD2453 , 2SD2457 , 2SD2459 , A1266 , 2SD2465 , 2SD2465A , 2SD2466 , 2SD2466A , 2SD2467 , 2SD2468 , 2SD2469 , 2SD2469A .

History: MMUN2231LT1 | RN1425 | HMBT8550 | MSD42WT1G | MSB92WT1G | BFXP95 | DTD523YM

 

 
Back to Top

 


 
.