Биполярный транзистор 2SD2544 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: 2SD2544
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 70 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 500
Корпус транзистора: MT4
- подбор биполярного транзистора по параметрам
2SD2544 Datasheet (PDF)
2sd2544.pdf

Power Transistors2SD2544Silicon NPN triple diffusion planar typeFor power amplification with high forward current transfer ratioUnit: mm5.0 0.1Features 10.0 0.2 1.0High foward current transfer ratio hFE90Satisfactory linearity of foward current transfer ratio hFEAllowing supply with the radial taping1.2 0.1 C1.02.25 0.2Absolute Maximum Ratings (TC=25C)0
2sd2549.pdf

Power Transistors2SD2549Silicon NPN triple diffusion planar typeFor power amplificationUnit: mmFeaturesHigh forward current transfer ratio hFE which has satisfactory4.6 0.29.9 0.32.9 0.2linearityLow collector to emitter saturation voltage VCE(sat)Full-pack package which can be installed to the heat sink with 3.2 0.1one screw1.4 0.2Absolute Maximum Rat
2sd254.pdf

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SD254DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 70V(Min)(BR) CEOCollector Power Dissipation-: P = 20W @T = 25C CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in general purpose amplifier and switchingapplications.ABSOLUTE MAXIMU
2sd2549.pdf

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD2549DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 80V(Min)(BR)CEOLow Collector Saturation Voltgae-: V = 0.7V(Max.)@ I = 3ACE(sat) CGood Linearity of hFEMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for power amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =2
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: 2N649-5 | NB221XG | CI4256 | 2N3509CSM | BUL54BFI | 2N926 | DTA114YET1G
History: 2N649-5 | NB221XG | CI4256 | 2N3509CSM | BUL54BFI | 2N926 | DTA114YET1G



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
bc550c | 2n3904 transistor datasheet | p75nf75 | d880 transistor | 2sc1845 | p60nf06 | 2sa1837 | ksc1845 transistor