2SD2544. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SD2544

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 70 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 500

Корпус транзистора: MT4

 Аналоги (замена) для 2SD2544

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD2544 даташит

 ..1. Size:51K  panasonic
 2sd2544.pdf pdf_icon

2SD2544

Power Transistors 2SD2544 Silicon NPN triple diffusion planar type For power amplification with high forward current transfer ratio Unit mm 5.0 0.1 Features 10.0 0.2 1.0 High foward current transfer ratio hFE 90 Satisfactory linearity of foward current transfer ratio hFE Allowing supply with the radial taping 1.2 0.1 C1.0 2.25 0.2 Absolute Maximum Ratings (TC=25 C) 0

 8.1. Size:42K  panasonic
 2sd2549.pdf pdf_icon

2SD2544

Power Transistors 2SD2549 Silicon NPN triple diffusion planar type For power amplification Unit mm Features High forward current transfer ratio hFE which has satisfactory 4.6 0.2 9.9 0.3 2.9 0.2 linearity Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) Full-pack package which can be installed to the heat sink with 3.2 0.1 one screw 1.4 0.2 Absolute Maximum Rat

 8.2. Size:180K  inchange semiconductor
 2sd254.pdf pdf_icon

2SD2544

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SD254 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 70V(Min) (BR) CEO Collector Power Dissipation- P = 20W @T = 25 C C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in general purpose amplifier and switching applications. ABSOLUTE MAXIMU

 8.3. Size:213K  inchange semiconductor
 2sd2549.pdf pdf_icon

2SD2544

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD2549 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 80V(Min) (BR)CEO Low Collector Saturation Voltgae- V = 0.7V(Max.)@ I = 3A CE(sat) C Good Linearity of h FE Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =2

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SD2486, 2SD2491, 2SD2492, 2SD2504, 2SD2527, 2SD2528, 2SD2530, 2SD2538, TIP41C, 2SD2549, 2SD2550, 2SD2551, 2SD2556, 2SD2559, 2SD2565, 2SD2571, 2SD2573