Справочник транзисторов. 2SD2544

 

Биполярный транзистор 2SD2544 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SD2544
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 70 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 500
   Корпус транзистора: MT4
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

2SD2544 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:51K  panasonic
2sd2544.pdfpdf_icon

2SD2544

Power Transistors2SD2544Silicon NPN triple diffusion planar typeFor power amplification with high forward current transfer ratioUnit: mm5.0 0.1Features 10.0 0.2 1.0High foward current transfer ratio hFE90Satisfactory linearity of foward current transfer ratio hFEAllowing supply with the radial taping1.2 0.1 C1.02.25 0.2Absolute Maximum Ratings (TC=25C)0

 8.1. Size:42K  panasonic
2sd2549.pdfpdf_icon

2SD2544

Power Transistors2SD2549Silicon NPN triple diffusion planar typeFor power amplificationUnit: mmFeaturesHigh forward current transfer ratio hFE which has satisfactory4.6 0.29.9 0.32.9 0.2linearityLow collector to emitter saturation voltage VCE(sat)Full-pack package which can be installed to the heat sink with 3.2 0.1one screw1.4 0.2Absolute Maximum Rat

 8.2. Size:180K  inchange semiconductor
2sd254.pdfpdf_icon

2SD2544

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SD254DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 70V(Min)(BR) CEOCollector Power Dissipation-: P = 20W @T = 25C CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in general purpose amplifier and switchingapplications.ABSOLUTE MAXIMU

 8.3. Size:213K  inchange semiconductor
2sd2549.pdfpdf_icon

2SD2544

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD2549DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 80V(Min)(BR)CEOLow Collector Saturation Voltgae-: V = 0.7V(Max.)@ I = 3ACE(sat) CGood Linearity of hFEMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for power amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =2

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: 2N649-5 | NB221XG | CI4256 | 2N3509CSM | BUL54BFI | 2N926 | DTA114YET1G

 

 
Back to Top

 


 
.