Биполярный транзистор 2SD2687S
- описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SD2687S
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 360
MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30
pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 350
Аналоги (замена) для 2SD2687S
2SD2687S
Datasheet (PDF)
..1. Size:76K rohm
2sd2687s.pdf 2SD2687S Transistors Low frequency amplifier, strobe 2SD2687S Dimensions (Unit : mm) Application Low frequency amplifier Storobo Features 1) A collector current is large. 2) VCE(sat) 250mV At lc=1.5A / lB=30mA (1)Emitter(GND)(2)Collector(OUT)(3)Base(IN) Taping specifications Absolute maximum ratings (Ta=25C) Parameter Symbol Limits UnitCollector-base
8.1. Size:175K toshiba
2sd2686.pdf 2SD2686 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (Darlington Power) 2SD2686 Solenoid Drive Applications Unit: mmMotor Drive Applications High DC current gain: hFE = 2000 (min) (VCE = 2 A, IC = 1 A) Zener diode included between collector and base Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristic Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 50 VCollector-em
8.2. Size:30K sanyo
2sd2689ls.pdf Ordering number : ENN75272SD2689LSNPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor2SD2689LSColor TV Horizontal DeflectionOutput ApplicationsFeatures Package Dimensions High speed. unit : mm High breakdown voltage(VCBO=1500V). 2079D High reliability(Adoption of HVP process).[2SD2689LS] Adoption of MBIT process.10.0 4.53.22.80.91.2 1.20.75 0.71 : Base
8.3. Size:39K sanyo
2sd2688.pdf Ordering number : ENN75262SD2688LSNPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor2SD2688LSColor TV Horizontal DeflectionOutput ApplicationsFeaturesPackage Dimensions High speed.unit : mm High breakdown voltage(VCBO=1500V).2079D High reliability(Adoption of HVP process).[2SD2688LS] Adoption of MBIT process.10.0 4.53.22.8 On-chip damper diode.0.9
8.4. Size:208K inchange semiconductor
2sd2689.pdf isc Silicon NPN Power Transistor 2SD2689DESCRIPTIONHigh speed.High breakdown voltage(VCBO=1500V).High reliability(Adoption of HVP process).Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for Color TV Horizontal DeflectionOutput Applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Co
Другие транзисторы... 2SA1801
, 2SA1802
, 2SA1802A
, 2SA1803
, 2SA1803O
, 2SA1803R
, 2SA1804
, 2SA1804O
, TIP35C
, 2SA1805
, 2SA1805O
, 2SA1805R
, 2SA1806
, 2SA181
, 2SA1810
, 2SA1810B
, 2SA1810C
.