2N4910X datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N4910X  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO-66

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2N4910X

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N4910X даташит

 ..1. Size:15K  semelab
 2n4910x 2n4911x 2n4912x.pdf pdf_icon

2N4910X

2N4910X 2N4911X 2N4912X MECHANICAL DATA NPN EPITAXIAL Dimensions in mm (inches) POWER TRANSISTOR IN TO66 HERMETIC PACKAGE 6.35 (0.250) 8.64 (0.340) 3.68 (0.145) rad. 3.61 (0.142) max. 3.86 (0.145) rad. APPLICATIONS SCREENING OPTIONS AVAILABE 1 2 TO66 PACKAGE 1.27 (0.050) 1.91 (0.750) 4.83 (0.190) 5.33 (0.210) 9.14 (0.360) min. TO 66 Metal Package. PIN 1 =

 0.1. Size:10K  semelab
 2n4910xsmd05.pdf pdf_icon

2N4910X

2N4910XSMD05 Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed 7.54 (0.296) 0.76 (0.030) Ceramic Surface Mount min. 3.175 (0.125) 2.41 (0.095) Package for High 2.41 (0.095) Max. 0.127 (0.005) Reliability Applications 1 3 Bipolar NPN Device. 2 VCEO = 40V IC = 4A 0.127 (0.005) 16 PLCS 0.127 (0.005) 0.50(0.020) 0.50 (0.020) All Semelab her

 0.2. Size:10K  semelab
 2n4910xsmd.pdf pdf_icon

2N4910X

2N4910XSMD Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed 0.89 (0.035) min. Ceramic Surface Mount 3.70 (0.146) 3.70 (0.146) 3.60 (0.142) 3.41 (0.134) 3.41 (0.134) Max. Package for High Reliability Applications 1 3 Bipolar NPN Device. 2 VCEO = 40V IC = 4A 9.67 (0.381) All Semelab hermetically sealed products 9.38 (0.369) 0.50 (0.020) 0.26 (

 8.1. Size:53K  inchange semiconductor
 2n4910.pdf pdf_icon

2N4910X

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 2N4910 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- VCEO(SUS)= 40V(Min) Low Collector Saturatioin Voltage- VCE(sat)= 0.6V(Max.)@ IC= 1A Wide Area of Safe Operation APPLICATIONS Designed for driver circuits, switching and amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: NESG4030M14, NESG2046M33, NESG204619, NESG2031M16, NESG2031M05, NESG2030M04, NESG2021M16, NESG2021M05, C3198, 2N4911X, 2N6245, 2N6989, 2N6989U, 2N6990, 2N7051, 2N7052, 2N7053