Биполярный транзистор FJPF5321 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: FJPF5321
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 800 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 500 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 14 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 65 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
Корпус транзистора: TO-220F
- подбор биполярного транзистора по параметрам
FJPF5321 Datasheet (PDF)
fjpf5321.pdf

FJPF5321High Voltage and High Reliability High speed Switching Wide Safe Operating AreaTO-220F11.Base 2.Collector 3.EmitterNPN Triple Diffused Planar Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 800 VVCEO Collector-Emitter Voltage 500 VVEBO Emitter-Base Voltage 7 VIC Collector Cu
fjpf5027.pdf

FJPF5027High Voltage and High Reliability High Speed Switching Wide SOATO-220F11.Base 2.Collector 3.EmitterNPN Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 1100 V VCEO Collector-Emitter Voltage 800 V VEBO Emitter-Base Voltage 7 V IC Collector Current (DC) 3 A ICP Collector Cur
fjpf5200.pdf

January 2009FJPF5200NPN Epitaxial Silicon TransistorApplications High-Fidelity Audio Output Amplifier General Purpose Power Amplifier Features High Current Capability: IC = 17A.TO-220F High Power Dissipation : 50watts. 1 High Frequency : 30MHz.1.Base 2.Collector 3.Emitter High Voltage : VCEO=250V Wide S.O.A for reliable operation. Excellent Ga
fjpf5021.pdf

FJPF5021High Voltage and High Reliability High Speed Switching : tF = 0.1s(Typ.) Wide SOATO-220F11.Base 2.Collector 3.EmitterNPN Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 800 V V CEO Collector-Emitter Voltage 500 V VEBO Emitter-Base Voltage 7 V IC Collector Current (DC) 5
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
History: 2SD882SQ-E | DTC115EEB
History: 2SD882SQ-E | DTC115EEB



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
k3563 | d882p | 2sb1560 | 2n1304 | 2sa979 | 2sc4793 | d965 | mje15031