FJPF5321. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FJPF5321

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 800 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 500 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 14 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 65 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO-220F

 Аналоги (замена) для FJPF5321

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FJPF5321 даташит

 ..1. Size:70K  fairchild semi
 fjpf5321.pdf pdf_icon

FJPF5321

FJPF5321 High Voltage and High Reliability High speed Switching Wide Safe Operating Area TO-220F 1 1.Base 2.Collector 3.Emitter NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 800 V VCEO Collector-Emitter Voltage 500 V VEBO Emitter-Base Voltage 7 V IC Collector Cu

 9.1. Size:63K  fairchild semi
 fjpf5027.pdf pdf_icon

FJPF5321

FJPF5027 High Voltage and High Reliability High Speed Switching Wide SOA TO-220F 1 1.Base 2.Collector 3.Emitter NPN Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 1100 V VCEO Collector-Emitter Voltage 800 V VEBO Emitter-Base Voltage 7 V IC Collector Current (DC) 3 A ICP Collector Cur

 9.2. Size:487K  fairchild semi
 fjpf5200.pdf pdf_icon

FJPF5321

January 2009 FJPF5200 NPN Epitaxial Silicon Transistor Applications High-Fidelity Audio Output Amplifier General Purpose Power Amplifier Features High Current Capability IC = 17A. TO-220F High Power Dissipation 50watts. 1 High Frequency 30MHz. 1.Base 2.Collector 3.Emitter High Voltage VCEO=250V Wide S.O.A for reliable operation. Excellent Ga

 9.3. Size:57K  fairchild semi
 fjpf5021.pdf pdf_icon

FJPF5321

FJPF5021 High Voltage and High Reliability High Speed Switching tF = 0.1 s(Typ.) Wide SOA TO-220F 1 1.Base 2.Collector 3.Emitter NPN Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 800 V V CEO Collector-Emitter Voltage 500 V VEBO Emitter-Base Voltage 7 V IC Collector Current (DC) 5

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: FJNS4210R, FJNS4211R, FJNS4212R, FJNS4213R, FJNS4214R, FJP5321, FJP5355, FJP9100, 2SC945, FJPF9020, FJT44, FJV1845, FJV3101R, FJV3102R, FJV3103R, FJV3104R, FJV3105R