Биполярный транзистор FJV3112R - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: FJV3112R
Маркировка: R32
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.7 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SOT-23
FJV3112R Datasheet (PDF)
fjv3112r.pdf
FJV3112RSwitching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit3 Built in bias Resistor (R=47K) Complement to FJV4112R2SOT-2311. Base 2. Emitter 3. Collector Equivalent CircuitMarkingCR32RBNPN Epitaxial Silicon TransistorEAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Paramet
fjv3111r.pdf
FJV3111RSwitching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit 3 Built in bias Resistor (R=22K) Complement to FJV4111R2SOT-2311. Base 2. Emitter 3. Collector Equivalent CircuitMarkingCR31RBNPN Epitaxial Silicon TransistorEAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Paramete
fjv3115r.pdf
FJV3115RSwitching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit 3 Built in bias Resistor (R1=2.2K, R2=10K)2SOT-2311. Base 2. Emitter 3. Collector Equivalent CircuitMarkingCR1R35BR2NPN Epitaxial Silicon Transistor EAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value U
fjv3110r.pdf
FJV3110RSwitching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit3 Built in bias Resistor (R=10K) Complement to FJV4110R2SOT-2311. Base 2. Emitter 3. Collector Equivalent CircuitMarkingCR30RBNPN Epitaxial Silicon TransistorEAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Paramet
fjv3113r.pdf
FJV3113RSwitching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit3 Built in bias Resistor (R1 =2.2K, R2=47K) Complement to FJV4113R2SOT-2311. Base 2. Emitter 3. Collector Equivalent CircuitMarkingCR1R33BR2NPN Epitaxial Silicon TransistorEAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise not
fjv3114r.pdf
November 2006FJV3114RtmNPN Epitaxial Silicon TransistorFeatures Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=4.7K, R2=47K) Complement to FJV4114REqivalent CircuitC3R34 2BESOT-2311. Base 2. Emitter 3. CollectorAbsolute Maximum Ratings * Ta = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2N3906 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050