FJV3115R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FJV3115R

Маркировка: R35

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.22

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.7 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 33

Корпус транзистора: SOT-23

 Аналоги (замена) для FJV3115R

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FJV3115R даташит

 ..1. Size:55K  fairchild semi
 fjv3115r.pdf pdf_icon

FJV3115R

FJV3115R Switching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit 3 Built in bias Resistor (R1=2.2K , R2=10K ) 2 SOT-23 1 1. Base 2. Emitter 3. Collector Equivalent Circuit Marking C R1 R35 B R2 NPN Epitaxial Silicon Transistor E Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value U

 8.1. Size:45K  fairchild semi
 fjv3111r.pdf pdf_icon

FJV3115R

FJV3111R Switching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit 3 Built in bias Resistor (R=22K ) Complement to FJV4111R 2 SOT-23 1 1. Base 2. Emitter 3. Collector Equivalent Circuit Marking C R31 R B NPN Epitaxial Silicon Transistor E Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Paramete

 8.2. Size:52K  fairchild semi
 fjv3110r.pdf pdf_icon

FJV3115R

FJV3110R Switching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit 3 Built in bias Resistor (R=10K ) Complement to FJV4110R 2 SOT-23 1 1. Base 2. Emitter 3. Collector Equivalent Circuit Marking C R30 R B NPN Epitaxial Silicon Transistor E Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Paramet

 8.3. Size:46K  fairchild semi
 fjv3112r.pdf pdf_icon

FJV3115R

FJV3112R Switching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit 3 Built in bias Resistor (R=47K ) Complement to FJV4112R 2 SOT-23 1 1. Base 2. Emitter 3. Collector Equivalent Circuit Marking C R32 R B NPN Epitaxial Silicon Transistor E Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Paramet

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: FJV3107R, FJV3108R, FJV3109R, FJV3110R, FJV3111R, FJV3112R, FJV3113R, FJV3114R, BC556, FJV4101R, FJV4102R, FJV4103R, FJV4104R, FJV4105R, FJV4106R, FJV4107R, FJV4108R