Справочник транзисторов. FJV4110R

 

Биполярный транзистор FJV4110R Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: FJV4110R
   Маркировка: R80
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT-23
 

 Аналог (замена) для FJV4110R

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FJV4110R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:52K  fairchild semi
 fjv4110r.pdf pdf_icon

FJV4110R

FJV4110RSwitching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit3 Built in bias Resistor (R=10K) Complement to FJV3110R2SOT-2311. Base 2. Emitter 3. Collector Equivalent CircuitCMarkingRR80 BPNP Epitaxial Silicon TransistorEAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Paramete

 8.1. Size:45K  fairchild semi
 fjv4112r.pdf pdf_icon

FJV4110R

FJV4112RSwitching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit3 Built in bias Resistor (R=47K) Complement to FJV3112R2SOT-2311. Base 2. Emitter 3. Collector Equivalent CircuitCMarkingRR82 BPNP Epitaxial Silicon TransistorEAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Paramete

 8.2. Size:45K  fairchild semi
 fjv4111r.pdf pdf_icon

FJV4110R

FJV4111RSwitching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit3 Built in bias Resistor (R=22K) Complement to FJV3111R2SOT-2311. Base 2. Emitter 3. Collector Equivalent CircuitCMarkingRR81 BPNP Epitaxial Silicon TransistorEAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Paramete

 8.3. Size:46K  fairchild semi
 fjv4113r.pdf pdf_icon

FJV4110R

FJV4113RSwitching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit3 Built in bias Resistor (R1=2.2K, R2=47K) Complement to FJV3113R2SOT-2311. Base 2. Emitter 3. Collector Equivalent CircuitCMarkingR1BR83R2PNP Epitaxial Silicon TransistorEAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise note

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... FJV4102R , FJV4103R , FJV4104R , FJV4105R , FJV4106R , FJV4107R , FJV4108R , FJV4109R , 2SD1555 , FJV4111R , FJV4112R , FJV4113R , FJV4114R , FJV42MTF , FJV992 , FJX1182 , FJX2222A .

History: GT403A | FXT3906 | BD676G

 

 
Back to Top

 


 
.