Справочник транзисторов. FJX3013R

 

Биполярный транзистор FJX3013R Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: FJX3013R
   Маркировка: S13
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.047
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.7 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 68
   Корпус транзистора: SOT-323
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

FJX3013R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:33K  fairchild semi
 fjx3013r.pdf pdf_icon

FJX3013R

FJX3013RSwitching Application (Bias Resistor Built In)3 Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1 =2.2K, R2=47K) Complement to FJX4013R21SOT-3231. Base 2. Emitter 3. CollectorEquivalent CircuitMarkingCR1S13BR2NPN Epitaxial Silicon TransistorEAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise not

 8.1. Size:32K  fairchild semi
 fjx3011r.pdf pdf_icon

FJX3013R

FJX3011RSwitching Application (Bias Resistor Built In)3 Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R=22K) Complement to FJX4011R21SOT-3231. Base 2. Emitter 3. CollectorEquivalent CircuitMarkingCS11RBNPN Epitaxial Silicon TransistorEAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Paramet

 8.2. Size:38K  fairchild semi
 fjx3010r.pdf pdf_icon

FJX3013R

FJX3010RSwitching Application (Bias Resistor Built In)3 Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R=10K) Complement to FJX4010R21SOT-3231. Base 2. Emitter 3. CollectorEquivalent CircuitMarkingCS10RBNPN Epitaxial Silicon TransistorEAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Paramet

 8.3. Size:42K  fairchild semi
 fjx3015r.pdf pdf_icon

FJX3013R

FJX3015RSwitching Application (Bias Resistor Built In)3 Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=2.2K, R2=10K)21SOT-3231. Base 2. Emitter 3. CollectorEquivalent CircuitMarkingCR1S15BR2NPN Epitaxial Silicon Transistor EAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: 2SD1589Y | MUN5116DW1T1G | 2SA909 | 2N4355 | 2SC4321 | 2N1196 | 2SA1480E

 

 
Back to Top

 


 
.