Справочник транзисторов. FJY3012R

 

Биполярный транзистор FJY3012R Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: FJY3012R
   Маркировка: S12
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.7 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT-523F
 

 Аналог (замена) для FJY3012R

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FJY3012R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:244K  fairchild semi
 fjy3012r.pdf pdf_icon

FJY3012R

July 2007FJY3012RtmNPN Epitaxial Silicon TransistorFeatures Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R=47K) Complement to FJY4012REquivalent CircuitC CS12 EB EBSOT - 523FAbsolute Maximum Ratings * Ta = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 40 VVCEO Collecto

 8.1. Size:243K  fairchild semi
 fjy3010r.pdf pdf_icon

FJY3012R

July 2007FJY3010RtmNPN Epitaxial Silicon TransistorFeatures Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R=10K) Complement to FJY4010REquivalent CircuitC CS10 EB EBSOT - 523FAbsolute Maximum Ratings * Ta = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 40 VVCEO Collecto

 8.2. Size:254K  fairchild semi
 fjy3014r.pdf pdf_icon

FJY3012R

July 2007FJY3014RtmNPN Epitaxial Silicon TransistorFeatures Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=4.7K, R2=47K) Complement to FJY4014REquivalent CircuitC CS14 EB EBSOT - 523FAbsolute Maximum Ratings * Ta = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 50 V

 8.3. Size:252K  fairchild semi
 fjy3013r.pdf pdf_icon

FJY3012R

July 2007FJY3013RtmNPN Epitaxial Silicon TransistorFeatures Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=2.2K, R2=47K) Complement to FJY4013REquivalent CircuitC CS13 EB EBSOT - 523FAbsolute Maximum Ratings * Ta = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 50 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... FJY3004R , FJY3005R , FJY3006R , FJY3007R , FJY3008R , FJY3009R , FJY3010R , FJY3011R , B772 , FJY3013R , FJY3014R , FJY3015R , FJY4001R , FJY4002R , FJY4003R , FJY4004R , FJY4005R .

History: DT1621 | SJ5436 | KSC2787 | BCP53-16T3G | DT3200 | FN1A4P

 

 
Back to Top

 


 
.