FSB560A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FSB560A

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 75 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 250

Корпус транзистора: SSOT-3 SOT-23

 Аналоги (замена) для FSB560A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FSB560A даташит

 ..1. Size:500K  onsemi
 fsb560 fsb560a.pdf pdf_icon

FSB560A

FSB560 / FSB560A NPN Low-Saturation Transistor Features C These devices are designed with high-current gain and low-saturation voltage with collector currents up to 2 A continuous. E B SuperSOTTM-3 (SOT-23) Ordering Information Part Number Marking Package Packing Method FSB560 560 SSOT 3L Tape and Reel FSB560A 560A SSOT 3L Tape and Reel Absolute Maximum Ratings(1),(2) Stress

 8.1. Size:42K  fairchild semi
 fsb560.pdf pdf_icon

FSB560A

FSB560 / FSB560A C E B SuperSOTTM-3 (SOT-23) NPN Low Saturation Transistor These devices are designed with high current gain and low saturation voltage with collector currents up to 2A continuous. Absolute Maximum Ratings* T A = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter FSB560/FSB560A Units 60 V VCEO Collector-Emitter Voltage 80 V VCBO Collector-Base Voltage 5 V VEBO E

 8.2. Size:184K  fairchild semi
 fsb560-a.pdf pdf_icon

FSB560A

May 2009 FSB560/FSB560A NPN Low Saturation Transistor C Features These devices are designed with high current gain and low saturation voltage with E collector currents up to 2A continuous. B Absolute Maximum Ratings* TA=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings Units VCEO Collector-Emitter Voltage 60 V VCBO Collector-Base Voltage 80 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V

Другие транзисторы: FPN560, FPN560A, FPN630, FPN630A, FPN660, FPN660A, FPNH10, FSB560, TIP32C, FSB619, FSB649, FSB660, FSB660A, FSB6726, FSB749, FSBCW30, FTM3725