KST5551. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KST5551

Маркировка: G1

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: SOT-23

 Аналоги (замена) для KST5551

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KST5551 даташит

 ..1. Size:44K  fairchild semi
 kst5551.pdf pdf_icon

KST5551

KST5551 Amplifier Transistor Collector-Emitter Voltage VCEO=160V 3 Collector Power Dissipation PC (max)=350mW 2 SOT-23 1 Mark G1 1. Base 2. Emitter 3. Collector NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 180 V VCEO Collector-Emitter Voltage 160 V VEBO Emitter-Base

 8.1. Size:56K  fairchild semi
 kst5550.pdf pdf_icon

KST5551

KST5550 High Voltage Transistor 3 2 SOT-23 1 1. Base 2. Emitter 3. Collector NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 160 V VCEO Collector-Emitter Voltage 140 V VEBO Emitter-Base Voltage 6 V IC Collector Current 600 mA PC Collector Power Dissipation 350 mW TSTG Storage Tempe

 9.1. Size:44K  fairchild semi
 kst55 kst56.pdf pdf_icon

KST5551

KST55/56 Driver Transistor Collector-Emitter Voltage VCEO = KST55 - 60V 3 KST56 - 80V Collector Power Dissipation PC (max) = 350mW Complement to KST05/06 2 SOT-23 1 1. Base 2. Emitter 3. Collector PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector Base Voltage KST55 -60 V K

 9.2. Size:21K  samsung
 kst55.pdf pdf_icon

KST5551

KST55/56 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR DRIVER TRANSISTOR SOT-23 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) A Characteristic Symbol Rating Unit Collector Base Voltage VCBO KST55 -60 V KST56 -80 V Collector-Emitter Voltage VCEO KST55 -60 V KST56 -80 V Emitter-Base Voltage VEBO -4 V Collector Current IC -500 mA Collector Dissipation PC 350 mW Storage Temperature TSTG 150 Therma

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: KSC2883, KSC5019, KSC5042F, KSP5179, KSP94, KST3906, KST4125, KST5401, A1015, MAT02, MMBT2222AK, PN2369A, MMBT2369A, MMBT2907AK, MMBT3702, MMBT3904K, MMBT3906K