Биполярный транзистор KST5551 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: KST5551
Маркировка: G1
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
Корпус транзистора: SOT-23
KST5551 Datasheet (PDF)
kst5551.pdf
KST5551Amplifier Transistor Collector-Emitter Voltage: VCEO=160V 3 Collector Power Dissipation: PC (max)=350mW2SOT-231Mark: G11. Base 2. Emitter 3. CollectorNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 180 VVCEO Collector-Emitter Voltage 160 VVEBO Emitter-Base
kst5550.pdf
KST5550High Voltage Transistor32SOT-2311. Base 2. Emitter 3. CollectorNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 160 VVCEO Collector-Emitter Voltage 140 VVEBO Emitter-Base Voltage 6 VIC Collector Current 600 mAPC Collector Power Dissipation 350 mWTSTG Storage Tempe
kst55 kst56.pdf
KST55/56Driver Transistor Collector-Emitter Voltage: VCEO = KST55: - 60V3KST56: - 80V Collector Power Dissipation: PC (max) = 350mW Complement to KST05/06 2SOT-2311. Base 2. Emitter 3. CollectorPNP Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector Base Voltage : KST55 -60 V: K
kst55.pdf
KST55/56 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTORDRIVER TRANSISTORSOT-23ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 )A Characteristic Symbol Rating UnitCollector Base Voltage VCBO :KST55 -60 V :KST56 -80 VCollector-Emitter Voltage VCEO :KST55 -60 V :KST56 -80 VEmitter-Base Voltage VEBO -4 VCollector Current IC -500 mACollector Dissipation PC 350 mWStorage Temperature TSTG 150 Therma
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050