TN6725A. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: TN6725A
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25000
Корпус транзистора: TO-226
Аналоги (замена) для TN6725A
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
TN6725A даташит
tn6725a.pdf
Discrete Power & Signal Technologies TN6725A C TO-226 B E NPN Darlington Transistor This device is designed for applications requiring extremely high current gain at collector currents to 1A. Sourced from Process 05. See MPSA14 for characteristics. Absolute Maximum Ratings* T A = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units 50 V VCES Collector-Emitter Voltage
tn6727a.pdf
TN6727A C TO-226 B E PNP General Purpose Amplifier This device is designed for general purpose medium power amplifiers and switches requiring collector currents to 1A. Sourced from Process 77. See TN6726A for characteristics. Absolute Maximum Ratings* T A = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units 40 V VCES Collector-Emitter Voltage 50 V VCBO Collector-Base V
tn6728a nzt6728.pdf
TN6728A NZT6728 C E E C B TO-226 C B SOT-223 E PNP General Purpose Amplifier This device is designed for general purpose medium power amplifiers and switches requiring collector currents to 1.0 A. Sourced from Process 78. Absolute Maximum Ratings* TA = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage 60 V VCBO Collector-Base Voltage 60 V
tn6729a nzt6729.pdf
TN6729A NZT6729 C E C B TO-226 C B SOT-223 E PNP General Purpose Amplifier This device is designed for general purpose medium power amplifiers and switches requiring collector currents to 800 mA. Sourced from Process 79. Absolute Maximum Ratings* TA = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage 80 V VCBO Collector-Base Voltage 80 V V
Другие транзисторы: TN4033A, TN5320A, TN5415A, TN6705A, TN6707A, TN6716A, TN6718A, TN6719A, BC547B, TN6727A, ZTX749A, UNR1110, UNR1111, UNR1112, UNR1113, UNR1114, UNR1115
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
a965 transistor | hy3210 | d313 transistor equivalent | 2sb827 | c5200 datasheet | 2n2614 | 2sa777 replacement | 2sc828 transistor





