2N6361 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N6361  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 33 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO129

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2N6361

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N6361 даташит

 9.1. Size:449K  1
 2n6368.pdf pdf_icon

2N6361

 9.2. Size:148K  jmnic
 2n6360.pdf pdf_icon

2N6361

JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2N6360 DESCRIPTION With TO-3 package Low collector saturation voltage High DC current gain Excellent safe operating area APPLICATIONS Designed for high power applications and switching circuits such as relay or solenoid drivers, dc to dc converters or inverters. PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emit

 9.3. Size:116K  inchange semiconductor
 2n6360.pdf pdf_icon

2N6361

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2N6360 DESCRIPTION With TO-3 package Low collector saturation voltage High DC current gain Excellent safe operating area APPLICATIONS Designed for high power applications and switching circuits such as relay or solenoid drivers, dc to dc converters or inverters. PINNING PIN DESCRIPTION

Другие транзисторы: 2N6355, 2N6356, 2N6357, 2N6358, 2N6359, 2N635A, 2N636, 2N6360, 2SC4793, 2N6362, 2N6363, 2N6364, 2N6365, 2N6365A, 2N6366, 2N6367, 2N6368