Биполярный транзистор DP100 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: DP100
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 330 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 9 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
Корпус транзистора: TO-92
- подбор биполярного транзистора по параметрам
DP100 Datasheet (PDF)
dp100.pdf

DP100Semiconductor Semiconductor PNP Silicon TransistorFeatures Extremely low collector-to-emitter saturation voltage ( VCE(SAT)= -0.25V Typ. @IC/IB=-400mA/-20mA) Suitable for low voltage large current drivers Complementary pair with DN100 Switching Application Ordering Information Type NO. Marking Package Code DP100 DP100 TO-92 Outline Dimension
fdp100n10.pdf

September 2009FDP100N10tmN-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 75A, 10mFeatures Description RDS(on) = 8.2m ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 75A This N-Channel MOSFET is producedusing Fairchild Semicon-ductors advanced PowerTrench process that has been espe- Fast switching speedcially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching perfo
dp100s.pdf

DP100SPNP Silicon TransistorFeatures PIN Connection Extremely low collector-to-emitter saturation voltage ( VCE(SAT)= -0.25V Typ. @IC/IB=-400mA/-20mA) 3 Suitable for low voltage large current drivers Complementary pair with DN100S 1 Switching Application 2 SOT-23F Ordering Information Type NO. Marking Package Code P03 DP100S SOT-23F
ppmdp100v10.pdf

PPMDP100V10 P-Channel MOSFET Description The MOSFET provide the best combination of fast switching, low on-resistance and cost-effectiveness. MOSFET Product Summary D (2) VDS(V) RDS(on)(m) ID(A) -100 170@VGS=10V -13G (1) S (3) Absolute maximum rating@25 Parameter Symbol Maximum Units Drain-Source Voltage VDS -100 VGate-Source Voltage VGS 20 V TA=25 -13
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
History: BFS91A | 2N5302G | FJAF6810D | DRC4124T | BD439G | DMA26402
History: BFS91A | 2N5302G | FJAF6810D | DRC4124T | BD439G | DMA26402



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
bd139 | 2n4401 datasheet | irf640 | irf840 | irf740 | c945 transistor | irf640n | 2n3904