Биполярный транзистор DP100S - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: DP100S
Маркировка: P03
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 330 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 9 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
Корпус транзистора: SOT-23
DP100S Datasheet (PDF)
dp100s.pdf
DP100SPNP Silicon TransistorFeatures PIN Connection Extremely low collector-to-emitter saturation voltage ( VCE(SAT)= -0.25V Typ. @IC/IB=-400mA/-20mA) 3 Suitable for low voltage large current drivers Complementary pair with DN100S 1 Switching Application 2 SOT-23F Ordering Information Type NO. Marking Package Code P03 DP100S SOT-23F
fdp100n10.pdf
September 2009FDP100N10tmN-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 75A, 10mFeatures Description RDS(on) = 8.2m ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 75A This N-Channel MOSFET is producedusing Fairchild Semicon-ductors advanced PowerTrench process that has been espe- Fast switching speedcially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching perfo
dp100.pdf
DP100Semiconductor Semiconductor PNP Silicon TransistorFeatures Extremely low collector-to-emitter saturation voltage ( VCE(SAT)= -0.25V Typ. @IC/IB=-400mA/-20mA) Suitable for low voltage large current drivers Complementary pair with DN100 Switching Application Ordering Information Type NO. Marking Package Code DP100 DP100 TO-92 Outline Dimension
ppmdp100v10.pdf
PPMDP100V10 P-Channel MOSFET Description The MOSFET provide the best combination of fast switching, low on-resistance and cost-effectiveness. MOSFET Product Summary D (2) VDS(V) RDS(on)(m) ID(A) -100 170@VGS=10V -13G (1) S (3) Absolute maximum rating@25 Parameter Symbol Maximum Units Drain-Source Voltage VDS -100 VGate-Source Voltage VGS 20 V TA=25 -13
pnmdp100v10.pdf
PNMDP100V10 N-Channel MOSFET Description The MOSFET provide the best combination of fast switching, low on-resistance and cost-effectiveness. MOSFET Product Summary D (2) VDS(V) RDS(on)(m) ID(A) 100 105@VGS=10V 9.6G (1) S (3) Absolute maximum rating@25 Parameter Symbol Maximum Units Drain-Source Voltage VDS 100 VGate-Source Voltage VGS 20 V TA=25 9.6
fdp100n10.pdf
INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor FDP100N10FEATURESWith TO-220 packagingLow switching lossUltra low gate chargeEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationzAPPLICATIONSSwitching applicationsAC-DC convertersLED lightingUninterruptible power supplyABSOLU
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050