Справочник транзисторов. DP100S

 

Биполярный транзистор DP100S Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: DP100S
   Маркировка: P03
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 330 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 9 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: SOT-23
 

 Аналог (замена) для DP100S

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DP100S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:250K  auk
dp100s.pdfpdf_icon

DP100S

DP100SPNP Silicon TransistorFeatures PIN Connection Extremely low collector-to-emitter saturation voltage ( VCE(SAT)= -0.25V Typ. @IC/IB=-400mA/-20mA) 3 Suitable for low voltage large current drivers Complementary pair with DN100S 1 Switching Application 2 SOT-23F Ordering Information Type NO. Marking Package Code P03 DP100S SOT-23F

 9.1. Size:703K  fairchild semi
fdp100n10.pdfpdf_icon

DP100S

September 2009FDP100N10tmN-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 75A, 10mFeatures Description RDS(on) = 8.2m ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 75A This N-Channel MOSFET is producedusing Fairchild Semicon-ductors advanced PowerTrench process that has been espe- Fast switching speedcially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching perfo

 9.2. Size:83K  auk
dp100.pdfpdf_icon

DP100S

DP100Semiconductor Semiconductor PNP Silicon TransistorFeatures Extremely low collector-to-emitter saturation voltage ( VCE(SAT)= -0.25V Typ. @IC/IB=-400mA/-20mA) Suitable for low voltage large current drivers Complementary pair with DN100 Switching Application Ordering Information Type NO. Marking Package Code DP100 DP100 TO-92 Outline Dimension

 9.3. Size:126K  prisemi
ppmdp100v10.pdfpdf_icon

DP100S

PPMDP100V10 P-Channel MOSFET Description The MOSFET provide the best combination of fast switching, low on-resistance and cost-effectiveness. MOSFET Product Summary D (2) VDS(V) RDS(on)(m) ID(A) -100 170@VGS=10V -13G (1) S (3) Absolute maximum rating@25 Parameter Symbol Maximum Units Drain-Source Voltage VDS -100 VGate-Source Voltage VGS 20 V TA=25 -13

Другие транзисторы... DN500 , DN500F , DN500P , DP030 , DP030E , DP030S , DP030U , DP100 , 2N3055 , DP500 , DP500F , DP500P , MMBT3904EF , MMBT3906EF , NT331 , NT332 , SBC327 .

History: D11C704 | BCR521 | MPS2484 | 2SC15-3 | KTC3203A | KT8126A | 2SB466

 

 
Back to Top

 


 
.