DP100S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DP100S

Маркировка: P03

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 330 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 9 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: SOT-23

 Аналоги (замена) для DP100S

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DP100S даташит

 ..1. Size:250K  auk
 dp100s.pdf pdf_icon

DP100S

DP100S PNP Silicon Transistor Features PIN Connection Extremely low collector-to-emitter saturation voltage ( VCE(SAT)= -0.25V Typ. @IC/IB=-400mA/-20mA) 3 Suitable for low voltage large current drivers Complementary pair with DN100S 1 Switching Application 2 SOT-23F Ordering Information Type NO. Marking Package Code P03 DP100S SOT-23F

 9.1. Size:703K  fairchild semi
 fdp100n10.pdf pdf_icon

DP100S

September 2009 FDP100N10 tm N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 75A, 10m Features Description RDS(on) = 8.2m ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 75A This N-Channel MOSFET is producedusing Fairchild Semicon- ductor s advanced PowerTrench process that has been espe- Fast switching speed cially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching perfo

 9.2. Size:83K  auk
 dp100.pdf pdf_icon

DP100S

DP100 Semiconductor Semiconductor PNP Silicon Transistor Features Extremely low collector-to-emitter saturation voltage ( VCE(SAT)= -0.25V Typ. @IC/IB=-400mA/-20mA) Suitable for low voltage large current drivers Complementary pair with DN100 Switching Application Ordering Information Type NO. Marking Package Code DP100 DP100 TO-92 Outline Dimension

 9.3. Size:126K  prisemi
 ppmdp100v10.pdf pdf_icon

DP100S

PPMDP100V10 P-Channel MOSFET Description The MOSFET provide the best combination of fast switching, low on-resistance and cost-effectiveness. MOSFET Product Summary D (2) VDS(V) RDS(on)(m ) ID(A) -100 170@VGS=10V -13 G (1) S (3) Absolute maximum rating@25 Parameter Symbol Maximum Units Drain-Source Voltage VDS -100 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TA=25 -13

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: DN500, DN500F, DN500P, DP030, DP030E, DP030S, DP030U, DP100, 2N3904, DP500, DP500F, DP500P, MMBT3904EF, MMBT3906EF, NT331, NT332, SBC327