2N6384 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: 2N6384 📄📄
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 200 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 1000
Корпус транзистора: TO3
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для 2N6384
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
2N6384 даташит
2n6383 2n6384 2n6385.pdf
TM 2N6383 Central 2N6384 Semiconductor Corp. 2N6385 NPN SILICON POWER DESCRIPTION DARLINGTON TRANSISTOR The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N3683 SERIES types are NPN Silicon Power Darlington Transistors designed for power amplifier applications. MARKING FULL PART NUMBER TO-3 CASE MAXIMUM RATINGS (TC=25 C) SYMBOL 2N6383 2N6384 2N6385 UNITS Collector-Base Voltage VCBO 40 60 80 V Coll
2n6383 2n6384 2n6385.pdf
JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2N6383 2N6384 2N6385 DESCRIPTION With TO-3 package Complement to type 2N6648/6649/6650 DARLINGTON High DC current gain APPLICATIONS Designed for low and medium frequency power application such as power switching audio amplifer ,hammer drivers and shunt and series regulators PINNING PIN DESCRIPTION 1 B
2n6383 2n6384 2n6385.pdf
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2N6383 2N6384 2N6385 DESCRIPTION With TO-3 package Complement to type 2N6648/6649/6650 DARLINGTON High DC current gain APPLICATIONS Designed for low and medium frequency power application such as power switching audio amplifer ,hammer drivers and shunt and series regulators PINNING PIN
2n6387 2n6388.pdf
Order this document MOTOROLA by 2N6387/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA 2N6387 Plastic Medium-Power 2N6388* Silicon Transistors *Motorola Preferred Device . . . designed for general purpose amplifier and low speed switching applications. DARLINGTON High DC Current Gain 8 AND 10 AMPERE hFE = 2500 (Typ) @ IC = 4.0 Adc NPN SILICON Collector Emitter Sustaining Voltage
Другие транзисторы: 2N6379, 2N637A, 2N637B, 2N638, 2N6380, 2N6381, 2N6382, 2N6383, 2222A, 2N6385, 2N6386, 2N6387, 2N6388, 2N6389, 2N638A, 2N638B, 2N639
Параметры биполярного транзистора и их взаимосвязь
History: ESM3045DV | 2N3321 | BDX61 | CSB1086AQ
🌐 : EN
ES
РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
Popular searches
irf640n | 2n3904 | bc547 datasheet | k3797 mosfet | bs170 datasheet | tip41c | irfp460 | irfz44n mosfet










