5302D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 5302D

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 800 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO-252 TO-92 TO-126 TO-251 SOT-223

 Аналоги (замена) для 5302D

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

5302D даташит

 ..1. Size:251K  utc
5302d.pdfpdf_icon

5302D

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 5302D NPN SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE NPN TRANSISTOR WITH DIODE DESCRIPTION The UTC 5302D are series of NPN silicon planar transistor with diode and its suited to be used in power amplifier applications. FEATURES * Internal free-wheeling diode * Makes efficient anti-saturation operation * Low variable storage-time spread * Low bas

 0.1. Size:241K  international rectifier
irfh5302dpbf.pdfpdf_icon

5302D

IRFH5302DPbF HEXFET Power MOSFET VDS 30 V RDS(on) max 2.5 m (@VGS = 10V) VSD max 0.65 V (@IS = 5.0A) trr (typical) 19 ns ID PQFN 5X6 mm 100 A (@Tc(Bottom) = 25 C) Applications Synchronous MOSFET for high frequency buck converters Features and Benefits Benefits Features Low RDSon (

 0.2. Size:233K  taiwansemi
tsc5302d.pdfpdf_icon

5302D

TSC5302D High Voltage NPN Transistor with Diode TO-251 TO-252 Pin Definition PRODUCT SUMMARY (IPAK) (DPAK) 1. Base BVCEO 400V 2. Collector 3. Emitter BVCBO 700V IC 2A VCE(SAT) 1.1V @ IC / IB = 1A / 0.25A Features Block Diagram Build-in Free-wheeling Diode Makes Efficient Anti-saturation Operation No Need to Interest an hfe Value Because of Low Variab

Другие транзисторы: 2SA1627A, 2SC5027E, 2SC5353B, 2SC5889, 2SD2470, 4124D, 4126D, 4128D, 8550, C6084, D4120P, D65H2, HJ44H11, MJE13001, MJE13001P, MJE13002-E, MJE13003D