TC200. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TC200

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: TO-92

 Аналоги (замена) для TC200

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TC200 даташит

 ..1. Size:66K  utc
 tc200.pdf pdf_icon

TC200

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD TC200 Preliminary NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC TC200 is an epitaxial planar NPN transistor; it uses UTC s advanced technology to provide the customers with high DC current gain and low collector-emitter saturation voltage, etc. The UTC TC200 is suitable for general purpose and switching

 0.1. Size:73K  kec
 ktc200.pdf pdf_icon

TC200

SEMICONDUCTOR KTC200 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION. B C FEATURES Excellent hFE Linearity hFE(2)=25(Min.), (VCE=2V, IC=200mA). N DIM MILLIMETERS Complementary to KTA200. A 4.70 MAX E K B 4.80 MAX G C 3.70 MAX D D 0.45 E 1.00 F 1.27 G 0.85 MAXIMUM RATING (Ta=25 ) H 0.45 _ H J 14.00 + 0.50 CHARACTER

Другие транзисторы: MJE13009P, MMBT9018, MPSA194, MPSA44H, PZT1816, PZT4033, SB2202, T2096, BC547B, TUL1102, TUL1203, UBV45, ULB121, ULB122, ULB124, UN1066, UN1518