TC200 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TC200
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.625 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 300 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 7 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 70
Paquete / Cubierta: TO-92
Búsqueda de reemplazo de TC200
TC200 datasheet
tc200.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD TC200 Preliminary NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC TC200 is an epitaxial planar NPN transistor; it uses UTC s advanced technology to provide the customers with high DC current gain and low collector-emitter saturation voltage, etc. The UTC TC200 is suitable for general purpose and switching
ktc200.pdf
SEMICONDUCTOR KTC200 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION. B C FEATURES Excellent hFE Linearity hFE(2)=25(Min.), (VCE=2V, IC=200mA). N DIM MILLIMETERS Complementary to KTA200. A 4.70 MAX E K B 4.80 MAX G C 3.70 MAX D D 0.45 E 1.00 F 1.27 G 0.85 MAXIMUM RATING (Ta=25 ) H 0.45 _ H J 14.00 + 0.50 CHARACTER
Otros transistores... MJE13009P , MMBT9018 , MPSA194 , MPSA44H , PZT1816 , PZT4033 , SB2202 , T2096 , BC547B , TUL1102 , TUL1203 , UBV45 , ULB121 , ULB122 , ULB124 , UN1066 , UN1518 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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