TC200 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TC200
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.625 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 300 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 7 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 70
Paquete / Cubierta: TO-92
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar TC200
TC200 Datasheet (PDF)
tc200.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD TC200 Preliminary NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC TC200 is an epitaxial planar NPN transistor; it uses UTCs advanced technology to provide the customers with high DC current gain and low collector-emitter saturation voltage, etc. The UTC TC200 is suitable for general purpose and switching
ktc200.pdf
SEMICONDUCTOR KTC200TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION. B CFEATURES Excellent hFE Linearity: hFE(2)=25(Min.), (VCE=2V, IC=200mA).N DIM MILLIMETERS Complementary to KTA200.A 4.70 MAXEKB 4.80 MAXGC 3.70 MAXDD 0.45E 1.00F 1.27G 0.85MAXIMUM RATING (Ta=25 )H 0.45_HJ 14.00 + 0.50CHARACTER
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