Справочник транзисторов. DTB114E

 

Биполярный транзистор DTB114E Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: DTB114E
   Маркировка: BB4E
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 56
   Корпус транзистора: SOT-23 SOT-323
 

 Аналог (замена) для DTB114E

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DTB114E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:190K  utc
dtb114e.pdfpdf_icon

DTB114E

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD DTB114E PNP SILICON TRANSISTOR DIGITAL TRANSISTORS (BUILT-IN BIAS RESISTORS) FEATURES * Built-in bias resistors that implies easy ON/OFF applications. * The bias resistors are thin-film resistors with complete isolation to allow positive input. EQUIVALENT CIRCUIT ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Package Packing Lead

 ..2. Size:1026K  kexin
dtb114e.pdfpdf_icon

DTB114E

SMD Type TransistorsDigital TransistorsDTB114E (KDTB114E)SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4-0.13 Features Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors(see equivalent circuit)1 2 The bias resistors consist of thin-film resistors with complete+0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.01+0.11.9 -

 0.1. Size:26K  motorola
pdtb114et p09 sot23.pdfpdf_icon

DTB114E

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETook, halfpageM3D088PDTB114ETPNP resistor-equipped transistor1997 Sep 02Objective specificationSupersedes data of February 1995File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Objective specificationPNP resistor-equipped transistor PDTB114ETFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2(typ. 10 k each)3 Simplifi

 0.2. Size:49K  motorola
pdtb114et 4.pdfpdf_icon

DTB114E

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETook, halfpageM3D088PDTB114ETPNP resistor-equipped transistor1997 Sep 02Objective specificationSupersedes data of February 1995File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Objective specificationPNP resistor-equipped transistor PDTB114ETFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2(typ. 10 k each)3 Simplifi

Другие транзисторы... DTA124T , DTA143E , DTA143T , DTA143X , DTA143Z , DTA144E , DTA144T , DTB113Z , 2SC1815 , DTB123Y , DTB143E , DTC113T , DTC114E , DTC114T , DTC114Y , DTC115E , DTC115T .

 

 
Back to Top

 


 
.