DTB114E datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: DTB114E 📄📄
Маркировка: BB4E
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для DTB114E
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
DTB114E даташит
dtb114e.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD DTB114E PNP SILICON TRANSISTOR DIGITAL TRANSISTORS (BUILT-IN BIAS RESISTORS) FEATURES * Built-in bias resistors that implies easy ON/OFF applications. * The bias resistors are thin-film resistors with complete isolation to allow positive input. EQUIVALENT CIRCUIT ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Package Packing Lead
dtb114e.pdf
SMD Type Transistors Digital Transistors DTB114E (KDTB114E) SOT-23 Unit mm +0.1 2.9 -0.1 +0.1 0.4-0.1 3 Features Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors(see equivalent circuit) 1 2 The bias resistors consist of thin-film resistors with complete +0.1 +0.05 0.95 -0.1 0.1 -0.01 +0.1 1.9 -
pdtb114et p09 sot23.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET ook, halfpage M3D088 PDTB114ET PNP resistor-equipped transistor 1997 Sep 02 Objective specification Supersedes data of February 1995 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Objective specification PNP resistor-equipped transistor PDTB114ET FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 10 k each) 3 Simplifi
pdtb114et 4.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET ook, halfpage M3D088 PDTB114ET PNP resistor-equipped transistor 1997 Sep 02 Objective specification Supersedes data of February 1995 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Objective specification PNP resistor-equipped transistor PDTB114ET FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 10 k each) 3 Simplifi
Другие транзисторы: DTA124T, DTA143E, DTA143T, DTA143X, DTA143Z, DTA144E, DTA144T, DTB113Z, TIP35C, DTB123Y, DTB143E, DTC113T, DTC114E, DTC114T, DTC114Y, DTC115E, DTC115T
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sb554 | 2sd2560 | 2sc2078 transistor | bc558 datasheet | p75nf75 mosfet | ao4407a | mpsa06 datasheet | bc548 pinout












