DTB114E datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DTB114E  📄📄 

Маркировка: BB4E

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 56

Корпус транзистора: SOT-23 SOT-323

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для DTB114E

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DTB114E даташит

 ..1. Size:190K  utc
dtb114e.pdfpdf_icon

DTB114E

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD DTB114E PNP SILICON TRANSISTOR DIGITAL TRANSISTORS (BUILT-IN BIAS RESISTORS) FEATURES * Built-in bias resistors that implies easy ON/OFF applications. * The bias resistors are thin-film resistors with complete isolation to allow positive input. EQUIVALENT CIRCUIT ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Package Packing Lead

 ..2. Size:1026K  kexin
dtb114e.pdfpdf_icon

DTB114E

SMD Type Transistors Digital Transistors DTB114E (KDTB114E) SOT-23 Unit mm +0.1 2.9 -0.1 +0.1 0.4-0.1 3 Features Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors(see equivalent circuit) 1 2 The bias resistors consist of thin-film resistors with complete +0.1 +0.05 0.95 -0.1 0.1 -0.01 +0.1 1.9 -

 0.1. Size:26K  motorola
pdtb114et p09 sot23.pdfpdf_icon

DTB114E

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET ook, halfpage M3D088 PDTB114ET PNP resistor-equipped transistor 1997 Sep 02 Objective specification Supersedes data of February 1995 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Objective specification PNP resistor-equipped transistor PDTB114ET FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 10 k each) 3 Simplifi

 0.2. Size:49K  motorola
pdtb114et 4.pdfpdf_icon

DTB114E

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET ook, halfpage M3D088 PDTB114ET PNP resistor-equipped transistor 1997 Sep 02 Objective specification Supersedes data of February 1995 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Objective specification PNP resistor-equipped transistor PDTB114ET FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 10 k each) 3 Simplifi

Другие транзисторы: DTA124T, DTA143E, DTA143T, DTA143X, DTA143Z, DTA144E, DTA144T, DTB113Z, TIP35C, DTB123Y, DTB143E, DTC113T, DTC114E, DTC114T, DTC114Y, DTC115E, DTC115T